CoolSiC™ 1200V SIC Trench MOSFET

Infineon Technologies  CoolSiC™ 1,200V SiCトレンチMOSFETは、炭化ケイ素の強力な物理的特性と、デバイスの性能、堅牢性、使いやすさを向上させる独自の機能を兼ね備えています。CoolSiC 1,200V SiCトレンチMOSFETは、最先端のトレンチ半導体プロセスで構築されており、 最低レベルのアプリケーション損失と動作における最高レベルの信頼性を発揮するように最適化されています。高温および過酷環境での動作に適したこれらのデバイスを使用すると、最高レベルのシステム効率の簡素化された費用対効果の高い展開が可能になります。

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Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 1,212在庫
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package 617在庫
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: 1,000

SiC MOSFETS SMD/SMT TO-263-7 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 368在庫
最低: 1
複数: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 948在庫
最低: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 699在庫
240予想2026/10/01
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 721在庫
最低: 1
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 4,390在庫
最低: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies MOSFET CoolSiC 1200 V, 30 mohm SiC Trench MOSFET in TO-247-4 package 603在庫
最低: 1
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MOSFETs Si
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 333在庫
最低: 1
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 492在庫
720取寄中
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 594在庫
2,160取寄中
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 14 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 571在庫
720予想2026/10/01
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package 260在庫
480予想2026/10/29
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
480予想2026/10/08
最低: 1
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 40 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 20在庫
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SiC MOSFETS Through Hole N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 142在庫
240予想2026/10/29
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package 472在庫
240予想2026/11/19
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1200 V in TO247-4 package 187在庫
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
2,160取寄中
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 7 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200 V, 20 mohm SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package
1,440取寄中
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SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3 N-Channel
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package
960予想2026/09/16
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複数: 1

SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4 N-Channel