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SUM40014M-GE3

Name: Vishay SUM40014M-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SUM40014M-GE3
Price: 906 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

78-SUM40014M-GE3

メーカ番号：

SUM40014M-GE3

メーカ：

Vishay / Siliconix

詳細：

MOSFET TO263 N-CH 40V 200A

データシート:

SUM40014M-GE3 データシート

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Vishay
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-263-7
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	40 V
Id - 連続ドレイン電流:	200 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	990 uOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	2.4 V
Qg - ゲート電荷:	182 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	375 W
チャネルモード:	Enhancement
トレードネーム:	ThunderFET
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Vishay / Siliconix
下降時間:	35 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	140 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	10 ns
工場パックの数量:	800
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	ThunderFET Power MOSFET
標準電源切断遅延時間:	100 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	20 ns
単位重量:	1.600 g

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選択した属性: 0

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PCN

Technical Resources

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 台湾
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

SUM40014M Nチャンネル40V MOSFET

Vishay / Siliconix SUM40014M Nチャンネル40V MOSFETは、40V_DSドレイン-ソース間電圧を実現しており、ThunderFET®パワーをともなうシングル構成D²PAKパッケージに収められています。MOSFETには、リードフリーでRoHSに準拠した設計が活用されており、R_gおよびUIS試験を100%実施済みです。Vishay / Siliconix SUM40014M Nチャンネル40V MOSFETは、DC/DCコンバータ、バッテリマネジメント・アプリケーション、電動工具、モーター駆動スイッチに最適です。

TrenchFET® MOSFETs

Vishay / Siliconix TrenchFET^® MOSFETs feature P- and N-channel silicon technology enabling these devices to provide excellent on-resistance specifications of 1.9mΩ in the PowerPAK^® SO-8. Theses MOSFETs have on-resistance as low as half the level of the next best devices on the market. N-Channel MOSFETs offer a 40V to 250V drain-source breakdown voltage range, 375W power dissipation rating, and ThunderFET power depending on the model. The P-Channel MOSFETs feature up to 2 channels, SMD and through-hole mounting, and a 12V to 200V drain-source breakdown voltage range.