GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 1988 JPY
Availability: InStock

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Mouser 番号：

771-GAN041-650WSBQ

メーカ番号：

GAN041-650WSBQ

メーカ：

Nexperia

詳細：

GaN FET GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

データシート:

GAN041-650WSBQ データシート (PDF)

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Nexperia
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	SOT-429-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	47.2 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	41 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	22 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	187 W
チャネルモード:	Enhancement
技術:	GaN
ブランド:	Nexperia
構成:	Single
下降時間:	10 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品タイプ:	GaN FETs
上昇時間:	10 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
別の部品番号:	934661752127
単位重量:	123 mg

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選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

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