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GAN041-650WSBQ

Name: Nexperia GAN041-650WSBQ
Brand: Nexperia
SKU: 771-GAN041-650WSBQ
Price: 1988 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

771-GAN041-650WSBQ

メーカ番号：

GAN041-650WSBQ

メーカ：

Nexperia

詳細：

GaN FET GAN041-650WSB/SOT429/TO-247

データシート:

GAN041-650WSBQ データシート (PDF)

ECADモデル:

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Nexperia
製品カテゴリー:	GaN FET
RoHS:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	SOT-429-3
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	650 V
Id - 連続ドレイン電流:	47.2 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	41 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	22 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	187 W
チャネルモード:	Enhancement
ブランド:	Nexperia
構成:	Single
下降時間:	10 ns
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
製品タイプ:	GaN FETs
上昇時間:	10 ns
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Transistors
技術:	GaN
別の部品番号:	934661752127
単位重量:	123 mg

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選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

産業アプリケーション用GaN FET

Nexperia 産業アプリケーション用GaN FETは、電力の効率的な使用および電力変換と制御における効率性を向上します。一部のアプリケーションにとって、電力変換効率性と電力密度は市場での採用に重要となります。主要な例には、高電圧通信業界と産業インフラ業界があります。GaN FETを使用すると、全体的なシステムコストを下げるとともにさらに小型で高速、温度が上昇せず、軽量なシステムを実現できます。

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