SuperFET® III MOSFET

onsemi SuperFET® III MOSFETは、高電圧(TJ= 150ºCで700V)スーパージャンクション(SJ)MOSFETで、充電バランス技術を用いています。この技術によって、非常に低いオン抵抗(標準59mΩまたは62mΩ RDS(on))およびより低いゲート充電性能(標準78nC Qg)が実現しています。SuperFET III MOSFETは、導通損失を最小限に抑え、優れたスイッチング性能を提供し、ドレイン-ソース電圧の極端な上昇率に耐えるように設計されています。dv/dt Fairchild SuperFET IIIは、小型化と高効率化を目的としたさまざまな電源システムに最適です。

結果: 127
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム パッケージ化

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG 707在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 90 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 6A 600 mOhm 50在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF3 650V FAST 50MOHM TOLL 1,703在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 49 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 98 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET FRFET 650 V 65 A 40 mOhm TO-247 26在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 158 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 67MOHM TO-247-3 59在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 67 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 80 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF3 FAST 95MOHM PQFN88 2,699在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 95MOHM TO-220 128在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 58 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V FRFET110MOHM TF220 25在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 110 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 62 nC - 55 C + 150 C 240 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 FAST 190MOHM TO-220F 22在庫
1,000予想2026/10/13
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 16 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 31 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SF3 650V EASY 260MOHM D2PAK AUTO 443在庫
最低: 1
複数: 1
: 800

Si D2PAK-3 (TO-263-3) Reel, Cut Tape


onsemi MOSFET SF3 FRFET AUTO 40MOHM TO-247-4L 12在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 65 A 40 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 160 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 FRFET AUTO 50MOHM TO-247-4L 445在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-4 Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 FRFET AUTOMOTIVE 110MOHM TO-247-4 385在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-4 Tube

onsemi MOSFET SF3 650V EASY 40MOHM TO-247 AUTO 134在庫
最低: 1
複数: 1

Si TO-247-3 Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG 471在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 6 A 600 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG 9在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 250 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 24 nC - 55 C + 150 C 31 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET FRFET 650V 75A 27.4 mOhm 29在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 27.4 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 259 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 FRFET 650V 27MOHM
900取寄中
最低: 1
複数: 1
最大: 450

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 23 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 259 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET 650V 64MOHM MOSFET
12,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 3,000

Si SMD/SMT TDFN-4 N-Channel 1 Channel 650 V 40 A 64 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 82 nC - 55 C + 150 C 260 W Enhancement SuperFET III Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET SuperFET3 650V 67 mOhm
900予想2026/08/28
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 44 A 67 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 78 nC - 55 C + 150 C 312 W Enhancement SuperFET III Tube

onsemi MOSFET SuperFET3 650V 99 mOhm,TO220 PKG
1,423予想2026/08/25
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 79 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 61 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
900取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 125 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 181 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SUPERFET3 650V TO247 PKG
449取寄中
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 27.4 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 227 nC - 55 C + 150 C 595 W Enhancement AEC-Q101 SuperFET III Tube
onsemi MOSFET PQFN88 PKG, 99mohm 650V, SuperFET3 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT Power-88-4 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 87 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement SuperFET III Reel
onsemi MOSFET 650V 38A, 80MOHM 非在庫リードタイム 30 週間
最低: 3,000
複数: 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT TDFN-8x8-4 Reel