NTBLS4D0N15MC

Name: onsemi NTBLS4D0N15MC
Brand: onsemi
SKU: 863-NTBLS4D0N15MC
Price: 1352 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-NTBLS4D0N15MC

メーカ番号：

NTBLS4D0N15MC

メーカ：

onsemi

詳細：

MOSFET PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR INDUSTRIAL

データシート:

NTBLS4D0N15MC データシート (PDF)

ECADモデル:

無料のライブラリローダーをダウンロードし、お使いのECADツール用にこのファイルを変換してください。ECADモデルの詳細について

詳細を表示

onsemi NTBLS4D0N15MCの詳細を読む

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技術:	Si
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	TO-LL8-8
トランジスタ極性:	N-Channel
チャンネル数:	1 Channel
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧:	150 V
Id - 連続ドレイン電流:	187 A
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース:	4.4 mOhms
Vgs - ゲート-ソース間電圧:	20 V
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧:	4.5 V
Qg - ゲート電荷:	90.4 nC
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
Pd - 電力損失:	316 W
チャネルモード:	Enhancement
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	onsemi
構成:	Single
下降時間:	11 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小:	174 S
製品タイプ:	MOSFETs
上昇時間:	115 ns
シリーズ:	NTBLS4D0N15MC
工場パックの数量:	2000
サブカテゴリ:	Transistors
トランジスタタイプ:	1 N-Channel
標準電源切断遅延時間:	58 ns
ターンオン時の標準遅延時間:	47 ns

製品が見つかりました:

類似製品を表示するには、チェックボックスを1つ以上選択します

このカテゴリーの類似製品を表示するには、上記のチェックボックスを1つ以上選択してください。

選択した属性: 0

ドキュメントの絞り込み:

データシート

NTBLS4D0N15MC データシート (PDF)

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

JPHTS:: 854129000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: フィリピン
組立原産国:: フィリピン
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NTBLS4D0N15MCシングルNチャンネルMOSFET

Onsemi NTBLS4D0N15MCシングルNチャンネルMOSFETは、導通損失を最小限に抑える低R_{DS (on)} が備わっているパワーMOSFETです。このMOSFETには、ドライバ損失を最小限に抑える低全ゲート電荷(Q_g)と静電容量が備わっています。Onsemi NTBLS4D0N15MC MOSFETは、スイッチングノイズ/EMIを低減します。また、187A最大連続ドレイン電流(I_D)および150Vドレイン－ソース電圧(V_DSS)が特徴です。代表的なアプリケーションには、電動工具、バッテリ駆動掃除機、無人航空機(UAV)/ドローン、マテリアルハンドリング、バッテリ管理システム(BMS)/ストレージ、ホームオートメーションがあります。

工業用モータ駆動

オンセミ (onsemi) 産業用モータドライブは、効率的で再生可能な技術とインテリジェントな電力を供給する、グローバルな持続可能性のために設計されています。米国エネルギー省（DOE）が発表した「2020年モータシステム市場分析（MSMA）」によると、産業用ポンプとドライブは毎年、米国送電網全体のほぼ15%を消費しています。2020年版MSMAによると、VFD（可変周波数ドライブ）の使用により、年間約3,230万トンのCO₂排出量を削減できると推定されています。オンセミ (onsemi)は、ゲートドライバ、MOSFET、IGBT、EliteSiCなど、幅広いVFD半導体コンポーネントを製造しています。