2000V CoolSiC™ MOSFET

Infineon Technologies 2000V CoolSiC ™ MOSFETは、トレンチMOSFETで、TO-247PLUS-4-HCCパッケージに収められています。これらのMOSFETは、要求の厳しい高電圧およびスイッチング周波数条件の下であっても、システムの信頼性を犠牲にすることなく電力密度を増大させるように設計されています。CoolSiC ™テクノロジーの低電力損失によって、.XT相互接続テクノロジーを使用した信頼性の向上が実現しており、さまざまなアプリケーションで最高の効率を実現できます。2000V MOSFETは、4.5Vのベンチマークゲート閾値電圧が特徴で、スイッチング損失が非常に低く抑えられています。一般的なアプリケーションには、エネルギー貯蔵システム、EV充電、ストリングインバータ、ソーラーパワーオプティマイザがあります。