StrongIRFET™ 2パワーMOSFET

Infineon Technologies StrongIRFET™ 2パワーMOSFETは、Nチャンネル、通常レベル、100%アバランシェ試験済のパワートランジスタMOSFETです。Infineon StrongIRFET 2 MOSFETは、広範なアプリケーション向けに最適化されています。このMOSFETは、VDS の範囲が80V〜100V、RDS(on)の範囲が2.4mΩ〜8.2mΩです。

結果: 74
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード トレードネーム パッケージ化
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 1,331在庫
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 40 V 197 A 1.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 159 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 1,099在庫
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 302 A 900 uOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 210 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 5,961在庫
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 223 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 4,900在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 197 A 1.3 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 159 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 2,971在庫
9,000取寄中
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 40 V 193 A 1.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.4 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 3,986在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 121 A 2.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 50 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 2,919在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 53 A 4.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 27 nC - 55 C + 175 C 75 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 3,032在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 53 A 4.95 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 21 nC - 55 C + 175 C 65 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,628在庫
最低: 1
複数: 1
: 1,800

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 100 V 294 A 1.75 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 2,016在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 18.6 nC - 55 C + 175 C 71 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 997在庫
1,000予想2026/08/25
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 100 V 83 A 3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 154 nC - 55 C + 175 C 41 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 963在庫
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 80 V 170 A 1.65 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 6,337在庫
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole N-Channel 1 Channel 80 V 115 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 1,795在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 194 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 871在庫
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 139 A 4.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 990在庫
2,000予想2026/09/02
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 129 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,523在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 118 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 1,047在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 80 V 98 A 5.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 36 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 213在庫
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 60 V 293 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 40V 238在庫
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 40 V 232 A 1.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 106 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement StrongIRFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 415在庫
800予想2026/09/21
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 117 A 5.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 460在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 210 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 224 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 739在庫
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 125 A 2.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 69 nC - 55 C + 175 C 136 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 679在庫
1,000予想2026/08/31
最低: 1
複数: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 78 A 3.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 3 nC - 55 C + 175 C 83 W Enhancement StrongIRFET Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET > 60-80V 4,246在庫
最低: 1
複数: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 80 V 282 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 170 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel