DI0A35N06PGK

Name: Diotec Semiconductor DI0A35N06PGK
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 637-DI0A35N06PGK
Price: 31 JPY
Availability: OutOfStock

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Mouser 番号：

637-DI0A35N06PGK

メーカ番号：

DI0A35N06PGK

メーカ：

Diotec Semiconductor

詳細：

MOSFET DFN1006-3, N, 60V, 0.35A, 1.4?, 150C

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DI0A35N06PGK データシート (PDF)

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製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Diotec Semiconductor
製品カテゴリー:	MOSFET
RoHS:
パッケージ化:	Reel
パッケージ化:	Cut Tape
ブランド:	Diotec Semiconductor
製品タイプ:	MOSFETs
工場パックの数量:	10000
サブカテゴリ:	Transistors

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Models

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コンプライアンスコード

JPHTS:: 854121000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
TARIC:: 8541210000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 中国
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

DI0A35N06PGK N-Channel Power MOSFET

Diotec Semiconductor DI0A35N06PGK N-Channel Power MOSFET is fabricated using advanced trench technology and offers low on-state resistance, fast switching characteristics, and very low gate charge. This makes it suitable for space‑constrained and battery‑powered designs. The DI0A35N06PGK MOSFET features a 60V drain-source voltage (V_DSS), 223mW power dissipation, and 350mA continuous drain current (I_D). This power MOSFET operates from -55°C to 150°C storage and junction temperature range. The DI0A35N06PGK N-channel power MOSFET is designed for low‑power switching and polarity protection applications. Typical applications include power management units, battery-powered devices, load switches, and polarity protection.