BSD 炭化ケイ素ショットキーバリアダイオード

Bourns BSD炭化ケイ素（SiC）ショットキーバリアダイオード（SBD）は、より大きなピーク順方向サージ耐量、低い順方向電圧降下、低減された熱抵抗、および低電力損失を必要とする高周波・大電流アプリケーション向けに設計されています。これらの高度なワイドバンドギャップコンポーネントは、DC/DCおよびAC/DCコンバータ、スイッチモード電源、太陽光発電インバータ、モータドライブ、およびその他の整流アプリケーションでの信頼性、スイッチング性能、効率性の向上に貢献します。Bourns BSD SiC SBDには、650V ~ 1200Vの電圧動作が備わっており、5A ~ 10Aの範囲の電流があります。非常に効率が高く、EMIを低減する逆回復電流が発生しないため、SiC SBDはエネルギー損失を大幅に低減できます。