NTBG060N065SC1

onsemi
863-NTBG060N065SC1
NTBG060N065SC1

メーカ：

詳細：
SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V

データシート:
ECADモデル:
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最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
¥2,038 ¥2,038
¥1,413.5 ¥14,135
¥1,119.5 ¥111,950
¥1,049.8 ¥524,900
完全リール（800の倍数で注文）
¥1,046.4 ¥837,120

製品属性 属性値 属性の選択
onsemi
製品カテゴリー: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
SMD/SMT
D2PAK-7
N-Channel
1 Channel
650 V
46 A
70 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
170 W
Enhancement
EliteSiC
ブランド: onsemi
構成: Single
下降時間: 11 ns
順方向トランスコンダクタンス - 最小: 12 S
パッケージ化: Reel
パッケージ化: Cut Tape
製品タイプ: SiC MOSFETS
上昇時間: 14 ns
シリーズ: NTBG060N065SC1
工場パックの数量: 800
サブカテゴリ: Transistors
技術: SiC
標準電源切断遅延時間: 24 ns
ターンオン時の標準遅延時間: 11 ns
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選択した属性: 0

データシート

PCN

コンプライアンスコード
JPHTS:
854129000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
中国
組立原産国:
中国
拡散国:
韓国
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

NTBG060N065SC1 44mohm シリコンカーバイドMOSFET

Onsemi  NTBG060N065SC1 44mohm シリコンカーバイドMOSFETは、  D2PAK-7Lパッケージに収納され、高速かつ堅牢に設計されています。Onsemi  NTBG060N065SC1デバイスは、絶縁破壊電界強度が10倍、電子飽和速度が2倍高くなっています。MOSFETは、3倍の高エネルギーバンドギャップ、および3倍の高熱伝導率も備えています。すべての  onsemi  SiC MOSFET には、自動車、および産業用アプリケーション向けに特別に設計および認定された、AEC-Q101認定、およびPPAP対応オプションが含まれています。

650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFET

onsemi 650Vシリコンカーバイド（SiC）MOSFETには、シリコンに比べて優れたスイッチング性能とより高い信頼性を実現しています。これらの650V SiC MOSFETは低ON抵抗およびコンパクトなチップサイズで、低容量とゲート電荷を保証します。高効率、高速動作周波数、電力密度の向上、EMIの低減、システムサイズの削減などのメリットがあります。

ヒートポンプ

ヒートポンプは、安全で持続可能な暖房へのグローバルシフトを実現する礎として、低排出電気を利用して信頼性の高い暖かさを提供します。主な機能は暖房ですが、革新的な逆サイクルモデルには冷却機能も備わっています。さらに、廃熱を効率的に回収してその温度を実用レベルまで上昇させることもできるヒートポンプは、省エネという意味でも非常に大きな可能性を秘めています。企業が低炭素の未来を目指すなか、より効率的なパワー半導体に対する需要も高まりを見せています。このゴールに向けて、コスト、フットプリント、効率のバランスをとることは必須です。オンセミ (onsemi)インテリジェントパワーモジュール (IPM) は、ヒートポンプ市場において注目にすべきソリューションとして、コンパクトな設計、高電力密度、高度な制御機能を備えています。

M2 EliteSiC MOSFET

onsemi M2 EliteSiC MOSFETは、650V、750V、1200Vから電圧を選択できます。onsemi M2 MOSFETには、D2PAK7、H-PSOF8L、TDFN4 8x8、TO-247-3LD、TO-247-4LDなど、さまざまなパッケージがあります。MOSFETを採用すると、設計と実装に柔軟性が得られます。加えて、M2 EliteSiC MOSFETは、+22V/-8Vの最大ゲート-ソース間電圧、低RDS（on）、高い短絡耐量（SCWT）が特長です。

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