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FFSH30120A-F155

Name: onsemi FFSH30120A-F155
Brand: onsemi
SKU: 863-FFSH30120A-F155
Price: 2805 JPY
Availability: InStock

画像はあくまで参考です
製品仕様をご覧ください

Mouser 番号：

863-FFSH30120A-F155

メーカ番号：

FFSH30120A-F155

メーカ：

onsemi

詳細：

SIC SCHOTTKYダイオード SIC DIODE GEN1.0 TO247-2L LL

データシート:

FFSH30120A-F155 データシート

ECADモデル:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	onsemi
製品カテゴリー:	SIC SCHOTTKYダイオード
RoHS:
REACH - SVHC:
取り付け様式:	Through Hole
パッケージ/ケース:	TO-247-2
構成:	Single
If - 順電流（Forward Current）:	30 A
Vrrm - 繰返し逆電圧（Repetitive Reverse Voltage）:	1.2 kV
Vf - 順電圧（Forward Voltage）:	1.45 V
Ifsm - 順方向サージ電流（Forward Surge Current）:	230 A
Ir - 逆電流（Reverse Current）:	200 uA
最低動作温度:	- 55 C
最高動作温度:	+ 175 C
シリーズ:	FFSH30120A-F155
パッケージ化:	Tube
ブランド:	onsemi
Pd - 電力損失:	500 W
製品タイプ:	SiC Schottky Diodes
工場パックの数量:	30
サブカテゴリ:	Diodes & Rectifiers
トレードネーム:	EliteSiC
Vr - 逆電圧（Reverse Voltage）:	1.2 kV

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データシート

FFSH30120A-F155 データシート

PCN

Product Change Notification (PDF)

Material Composition Disclosure

コンプライアンスコード

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: 韓国
組立原産国:: 中国
拡散国:: 韓国

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

FFSH10120A-F155シリコンカーバイド（SiC）ダイオード

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