StrongIRFET™ Power MOSFETs

Infineon StrongIRFET™ Power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. These devices are ideal for low-frequency applications requiring performance and ruggedness. These MOSFETs have the highest current-carrying capability in the industry. This feature leads to increased robustness and reliability for high power density applications which require high efficiency and reliability. 

結果: 27
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース トランジスタ極性 チャンネル数 Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧 Id - 連続ドレイン電流 Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース Vgs - ゲート-ソース間電圧 Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧 Qg - ゲート電荷 最低動作温度 最高動作温度 Pd - 電力損失 チャネルモード 認証 トレードネーム パッケージ化

Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(120V 300V) 非在庫リードタイム 4 週間
¥2,249
¥1,677.6
¥1,327.1
¥1,287.3
¥1,247.4
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 171 A 5.9 mOhms 30 V 5 V 227 nC - 55 C + 175 C 517 W Enhancement AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IRFP3006PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 非在庫リードタイム 8 週間
¥931.8
¥485
¥373.7
¥347.1
最低: 1
複数: 1
Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 60 V 195 A 2.5 mOhms 20 V 4 V 200 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube