HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 719
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化
IXYS MOSFET 850V/90A Ultra Junction X-Class
データシート
非在庫リードタイム 39 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole PLUS-264-3 N-Channel 1 Channel 850 V 90 A 41 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 340 nC - 55 C + 150 C 1.785 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 100 Amps 250V 0.027 Rds
データシート
非在庫リードタイム 24 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 100 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 150 C 600 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 102 Amps 0V
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 102 A HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 150V
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 110 Amps 0V
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 110 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 157 nC - 55 C + 175 C 694 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 23 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 180 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 120A N-CH X3CLASS
データシート
リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/12A TO-247
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 310 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 18.5 nC - 55 C + 150 C 180 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET DIODE Id12 BVdass800
データシート
非在庫リードタイム 29 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 12 A 850 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 360 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 170 Amps 150V 0.013 Rds
データシート
リードタイム 21 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 150 A 13 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 190 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 150 A 15 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 177 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NChUltrJnctn X3Class TO-247AD
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 150 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 150 nC - 55 C + 150 C 735 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 15 Amps 1000V 0.76 Rds
データシート
リードタイム 21 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 15 A 760 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 97 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 160 Amps 150V
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 160 A 9.6 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 160 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
データシート
在庫なし
最低： 300
複数： 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 35 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/18A TO-247
データシート
非在庫リードタイム 35 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 18 A 200 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 29 nC - 55 C + 150 C 290 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 60V/220A TrenchT3
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 60 V 220 A 4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 136 nC - 55 C + 175 C 440 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 230 Amps 75V
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 75 V 230 A 4.2 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 178 nC - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 230Amps 100V
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 100 V 230 A 4.7 mOhms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 175 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 47 nC - 55 C + 150 C 400 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 1000V 26A TO-247 Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 35 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 113 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
データシート
在庫なし
最低： 300
複数： 30
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 155 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 56 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 30A N-CH XCLASS
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 30 A 220 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 695 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 40A
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 40 A 140 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 40 A 145 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 98 nC - 55 C + 150 C 860 W Enhancement HiPerFET Tube