HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 719
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 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/44A
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 300V 46A N-CH TRENCH
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 1
複数： 1

Si HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Power MOSFET AEC-Q101 Qualified
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 1
複数： 1

Si AEC-Q101 HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 73 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 116 nC - 55 C + 150 C 660 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 55 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 143 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/60A TO-247-4L
データシート
非在庫リードタイム 29 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 60 A 52 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 108 nC - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 300V/70A
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 300 V 70 A 54 mOhms - 30 V, 30 V 98 nC 830 W HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 150V 76A N-CH TRENCH
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 22 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 97 nC - 55 C + 150 C 350 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO247 1KV 7A N-CH POLAR
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 7 A 1.9 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 47 nC - 55 C + 150 C 300 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET 在庫なし
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 650V/80A TO-247-4L
データシート
非在庫リードタイム 30 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 80 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 140 nC - 55 C + 150 C 890 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Trench HiperFETs Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 300 V 94 A 36 mOhms HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 96 Amps 150V 0.024 Rds
データシート
非在庫リードタイム 24 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 96 A 24 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 480 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET TO247 850V 9.5A N-CH XCLASS
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 9.5 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 63 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 250V/44A Ultra Junct ion X3-Class MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 44 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 83 nC - 55 C + 150 C 104 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 102 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 224 nC - 55 C + 150 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120 Amps 250V 0.024 Rds
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 700 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET N-Channel: Power MOSFET w/Fast Diode
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 27 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 1.13 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 120A 300V
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 120 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 25
Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 650 V 120 A 24 mOhms - 30 V, 30 V 2.7 V 225 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TRENCH HIPERFET PWR MOSFET 250V 140A
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 140 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 255 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 160A 300V
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 300 V 160 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 335 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 170 Amps 200V 0.014 Rds
データシート
非在庫リードタイム 23 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 170 A 14 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 185 nC - 55 C + 175 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 170A 200V
データシート
リードタイム 21 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 170 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 265 nC - 55 C + 175 C 1.15 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET 250V/170A Ultra Junc tion X3-Class MOSFE
データシート
非在庫リードタイム 35 週間
最低： 300
複数： 25

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 250 V 170 A 6.1 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 190 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube