HiPerFET™ Power MOSFETs

IXYS HiPerFET™ Power MOSFETs are for hard switching and resonant mode applications. The devices offer low gate charge, excellent ruggedness with a fast intrinsic diode, and higher current handling capability that eliminates the need for multiple components. These high current HiPerFET MOSFETs are available in standard industrial packages, including isolated types.

結果: 719
選択 画像 部品番号
 メーカ
説明 データシート 在庫状況 価格： (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする
数量 RoHS ECADモデル 技術
取り付け様式
パッケージ/ケース
トランジスタ極性
チャンネル数
Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧
Id - 連続ドレイン電流
Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース
Vgs - ゲート-ソース間電圧
Vgs th - ゲート・ソース間しきい電圧
Qg - ゲート電荷
最低動作温度
最高動作温度
Pd - 電力損失
チャネルモード
認証
トレードネーム
パッケージ化

IXYS MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Ohm Rds
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 150 V 180 A 11 mOhms - 20 V, 20 V - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 180A 250V
データシート
非在庫リードタイム 31 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 250 V 180 A 12.9 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 345 nC - 55 C + 150 C 1.39 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 200 Amps 100V 0.0075 Rds
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 200 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 235 nC - 55 C + 175 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET Pwr MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 32 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 170 V 220 A 6.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 500 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 240 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 460 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar3 HiPerFET Power MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 22 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 100 V 250 A 6.5 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 205 nC - 55 C + 175 C 1.25 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 26 Amps 1000V
データシート
非在庫リードタイム 21 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 20 A 390 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 780 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 27 Amps 800V 0.32 Rds
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 27 A 320 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 170 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET GigaMOS Trench T2 HiperFET PWR MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 33 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 170 V 320 A 5.2 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 640 nC - 55 C + 175 C 1.67 mW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds
データシート
非在庫リードタイム 20 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 225 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/32A
データシート
非在庫リードタイム 54 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 32 A 320 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 195 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 32 Amps 800V 0.27 Rds
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/32A
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 32 A 270 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC + 150 C 1 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Polar HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
データシート
非在庫リードタイム 29 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 900 V 32 A 300 mOhms - 30 V, 30 V 6.5 V 215 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 44A
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 330 nC - 55 C + 150 C 560 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/44A
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 44 A 190 mOhms - 30 V, 30 V 185 nC 1.25 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 600V 48A
データシート
非在庫リードタイム 28 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 150 nC - 55 C + 150 C 830 W Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/48A
データシート
非在庫リードタイム 26 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 140 mOhms - 30 V, 30 V 140 nC 1 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/64A
データシート
非在庫リードタイム 25 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 64 A 85 mOhms - 30 V, 30 V 145 nC 1 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/64A
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 64 A 95 mOhms - 30 V, 30 V 190 nC 1.25 kW HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 850V Ultra Junction X-Class Pwr MOSFET
データシート
非在庫リードタイム 27 週間
最低： 300
複数： 30

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 850 V 66 A 65 mOhms - 30 V, 30 V 3.5 V 230 nC - 55 C + 150 C 1.25 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET DiscMSFT NCh UltrJnctn XClass TO-247AD
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1
Si Through Hole TO-247-PLUS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 90 A 38 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 210 nC - 55 C + 150 C 1.1 kW Enhancement HiPerFET Tube

IXYS MOSFET 500V 98A 0.05Ohm PolarP3 Power MOSFET
データシート
リードタイム 28 週間
最低： 1
複数： 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 98 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 197 nC - 55 C + 150 C 1.3 kW Enhancement HiPerFET Tube
IXYS MOSFET Polar3 HiPerFETs MOSFET w/Fast Diode
データシート
在庫なし
最低： 1
複数： 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 600 V 4 A 2.2 Ohms HiPerFET Tube
IXYS MOSFET TO252 850V 4A N-CH XCLASS
データシート
非在庫リードタイム 34 週間
最低： 350
複数： 70

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) HiPerFET Tube