Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 457
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 512Kx8 SPI MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,861.7
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 25 ns 3 V 3.6 V 13.8 mA, 33 mA - 40 C + 105 C MR25H40 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,720.5
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,737.1
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 85 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥4,958.1
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,901.6
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥7,653.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA - 40 C + 125 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 512Kx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,959.7
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 512 k x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 30 mA, 90 mA 0 C + 70 C MR2A08A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥7,466.2
¥6,903.1
¥6,680.5
¥6,561
最低: 1
複数: 1
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,285.3
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,272
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 85 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥5,041.1
最低: 696
複数: 348
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,934.8
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4MB 3.3V 35ns 512K x 8 MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥8,231.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 125 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥8,456.2
¥7,816.7
¥7,565.9
¥7,376.5
最低: 1
複数: 1
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,125.8
最低: 2,000
複数: 2,000
: 2,000
BGA-48 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,217.1
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA - 40 C + 105 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 4Mb 3.3V 35ns 256Kx16 Prallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥4,933.2
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 4 Mbit 256 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 55 mA, 105 mA 0 C + 70 C MR2A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥7,682.1
最低: 480
複数: 240
BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,840
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥7,102.4
最低: 216
複数: 108
TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,791.8
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥6,177.3
最低: 480
複数: 240
BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,971.3
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥10,462.6
最低: 216
複数: 108
TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥10,165.3
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR3A16A Reel