Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ)

結果: 457
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル パッケージ/ケース インタフェース タイプ メモリ サイズ 編成 データ バス幅 アクセス時間 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 動作供給電流 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥6,105.8
最低: 216
複数: 108
TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥5,855
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
TSOP-II-54 Parallel 8 Mbit 512 k x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR3A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥10,017.5
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥9,706.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥9,042.5
最低: 480
複数: 240
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥8,766.8
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 45ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥12,430.9
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,798.5
最低: 1,500
複数: 1,500
: 1,500
TSOP-II-44 Parallel 16 Mbit 2 M x 8 8 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A08B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥10,064
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥7,677.1
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥9,798.2
¥9,055.8
¥8,763.4
¥8,544.2
¥8,539.2
最低: 1
複数: 1
TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 16Mb 3.3V 35ns 1Mx16 Parallel MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥6,967.9
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
TSOP-II-54 Parallel 16 Mbit 1 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR4A16B Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥14,611.8
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥14,553.7
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 85 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 3.3V 32Mb MRAM(磁気抵抗メモリ) with unlimited read & write endurance, currently MSL 6 非在庫リードタイム 26 週間
¥15,007.1
最低: 480
複数: 240
BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥13,816.2
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥21,571.4
最低: 480
複数: 240
BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥19,450.3
最低: 2,500
複数: 2,500
: 2,500
BGA-48 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥20,425.3
最低: 216
複数: 108
TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥20,255.9
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 45 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA - 40 C + 125 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥14,211.5
最低: 216
複数: 108
TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥14,003.9
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
TSOP-II-54 Parallel 32 Mbit 2 M x 16 16 bit 35 ns 3 V 3.6 V 60 mA, 152 mA 0 C + 70 C MR5A16A Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
¥1,606.2
最低: 1,140
複数: 570
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Tray
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3.3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥1,764
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 85 C MR25H10 Reel
Everspin Technologies MRAM(磁気抵抗メモリ) 1Mb 3V 128Kx8 Serial MRAM(磁気抵抗メモリ) 非在庫リードタイム 26 週間
リール
¥2,639.3
最低: 4,000
複数: 4,000
: 4,000
DFN-8 SPI 1 Mbit 128 k x 8 8 bit 2.7 V 3.6 V 6 mA, 23 mA - 40 C + 125 C MR25H10 Reel