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製造元
= Nexperia
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Nexperia BUK6Q66-60PJ MOSFET
08/27/2025
08/27/2025
トレンチMOSFETテクノロジーを使用したMLPAK33 (SOT8002-3) SMDプラスチックパッケージに収められたPチャンネル FET。
Nexperia BUK6Q8R2-30PJ MOSFET
08/27/2025
08/27/2025
トレンチMOSFETテクノロジーを使用したMLPAK33 (SOT8002-3) SMDプラスチックパッケージに収められたPチャンネル FET。
Nexperia MJPExバイポーラジャンクショントランジスタ（BJT）
08/26/2025
08/26/2025
CFP15Bパッケージは、MJDシリーズに代わるコンパクトで費用対効果の高い製品で、DPAKパッケージに収められています。
Nexperia BUK6Q12-40PJ MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ封止のPチャネルFET。
Nexperia BUK6Q26-40PJ MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ封止のPチャネルFET。
Nexperia BUK6Q21-30PJ MOSFET
08/19/2025
08/19/2025
トレンチMOSFET技術を使用したMLPAK33（SOT8002-3）SMDプラスチック・パッケージ内の30V PチャネルFET。
Nexperia GANB1R2-040QBA ・ GANB012-040CBA GaN HEMT
07/03/2025
07/03/2025
40V、1.2mΩ または12mΩ 、双方向窒化ガリウム(GaN)高電子移動度トランジスタ(HEMT)です。
Nexperia GANB8R0-040CBA双方向GaN FET
04/14/2025
04/14/2025
40V、8.0MΩ双方向GaN HEMTは、コンパクトな1.7mm x 1.7mm WLCSPパッケージに格納されています。
Nexperia NX5020x NチャンネルエンハンストモードFET
04/01/2025
04/01/2025
デバイスには、Trench MOSFET技術を使用した非常に低い閾値電圧および超高速スイッチングがあります。
Nexperia BC5xPAS-Q 1A 中電力PNPトランジスタ
12/30/2024
12/30/2024
超薄型DFN2020D-3（SOT1061D）SMDプラスチックパッケージに収められたAEC-Q101認定PNPトランジスタです。
Nexperia GANB4R8-040CBA双方向GaN FET
10/01/2024
10/01/2024
40V、4.8mΩ 双方向GaN高電子移動度トランジスタ(HEMT) で、WLCSPパッケージに収められています。
Nexperia NSF0x0120 NチャンネルSiC MOSFET
07/01/2024
07/01/2024
表面実装用プリント基板テクノロジーに対応した7ピンのTO-263または22ピンのQDPAKプラスチックパッケージでご利用いただけます。
Nexperia PSMNxRx-80YSFNextPowerNチャンネルMOSFET
06/24/2024
06/24/2024
80V、標準レベルのゲートドライブMOSFETで、より高い効率性とより低いスパイクのための低Qrr が備わっています。
Nexperia NSF0x120L4A0 NチャンネルMOSFET
04/23/2024
04/23/2024
シリコンカーバイド(SiC)ベースの1,200VパワーMOSFETで、十分に確立された4ピンTO-247プラスチックパッケージに収められています。
Nexperia PSMN047-100NSE NチャンネルASFET
04/04/2024
04/04/2024
コンパクトな2mm x 2mmのフットプリントに強化されたSOAを搭載した、100V、53mΩのASFETです。
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Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
10/14/2026
10/14/2026
28V電源レール上で30MHz～1215MHzの範囲で動作する50Ω入力整合ディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
10/06/2026
10/06/2026
2.5GHz～2.9GHz、および2.9GHz～3.3GHzで動作する200W～300WのディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFETモジュール
10/02/2026
10/02/2026
電気商用車用トラクションインバータ向け1400V CoolSiC MOSFETモジュールです。
Texas Instruments JFE2325デュアル低電力NチャンネルJFET
09/09/2026
09/09/2026
エレクトレットコンデンサマイクロホン（ECM）など、非常に高いインピーダンスのセンサとの使用を想定しています。
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH110N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、18 mΩ、112 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
Microchip Technology HV-D3 mSiC® パワーモジュール
09/01/2026
09/01/2026
データセンターやその他の高電圧電力アプリケーション環境へのSSTの適合・導入を簡素化し、加速させます。
STMicroelectronics STGI15C60S 三相インバータ & IGBT SLLIMM
08/19/2026
08/19/2026
ハードスイッチング回路で最大20kHzで動作するモータドライブに最適です。
iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET
08/12/2026
08/12/2026
Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.
STMicroelectronics STH4N150-2AG NチャンネルパワーMOSFET
08/10/2026
08/10/2026
自動車アプリケーション向けの高レベルの電圧と堅牢性を確保するように設計されています。
Vishay MXP075 MaxSiC® 750V NチャネルMOSFET
06/19/2026
06/19/2026
750Vのドレイン・ソース間電圧、高速スイッチング速度、および3μsの短絡耐量時間を特徴としています。
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