個別半導体のタイプ
適用されたフィルタ:
製造元
= STMicroelectronics
現在の絞り込みを変更するには、製品タブに戻ってください。
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 単方向シングルラインTVS
09/15/2026
09/15/2026
電源ラインまたはその他の低速I/OをESDおよび小さなサージトランジェントから保護するように設計されています。
STMicroelectronics STGI15C60S 三相インバータ & IGBT SLLIMM
08/19/2026
08/19/2026
ハードスイッチング回路で最大20kHzで動作するモータドライブに最適です。
STMicroelectronics STH4N150-2AG NチャンネルパワーMOSFET
08/10/2026
08/10/2026
自動車アプリケーション向けの高レベルの電圧と堅牢性を確保するように設計されています。
STMicroelectronics STL059N4S8AGパワーMOSFET
03/31/2026
03/31/2026
Smart STripFET F8テクノロジーで設計された40V Nチャンネル拡張モード対応パワーMOSFETです。
STMicroelectronics SGT080R70ILB EモードPowerGaNトランジスタ
12/04/2025
12/04/2025
効率性の高い電力変換アプリケーション用に設計されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics SGT070R70HTO PowerGaN e-modeトランジスタ
11/07/2025
11/07/2025
GaNテクノロジーをベースにしたトランジスタ。電力変換アプリケーションの高まるニーズに応えます。
STMicroelectronics SGT350R70GTK EモードPowerGaNトランジスタ
10/28/2025
10/28/2025
要求の厳しいアプリケーションでの効率的な電力変換を目的に最適化されたEモードPowerGaNトランジスタです。
STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA車載用パワーモジュール
09/26/2025
09/26/2025
ハイブリッドと電気自動車のOBCを対象とした統合NTCが搭載されている3相4線式 PFCトポロジが備わっています。
STMicroelectronics M2P45M12W2-1LA車載用パワーモジュール
09/26/2025
09/26/2025
電気自動車のOBCのDC/DCコンバータ段を対象としたNTCが搭載された6パックトポロジが備わっています。
STMicroelectronics STGWA30IH160DF2 1,600V IH2シリーズIGBT
05/22/2025
05/22/2025
高度な独自のトレンチゲート・フィールドストップ構造を実装することによって作成されました。
STMicroelectronics STGSH50M120D ACEPACK SMIT IGBT（ダイオード搭載）
12/24/2024
12/24/2024
ハーフブリッジトポロジに2個のIGBTとダイオードが組み合わされています。
STMicroelectronics ESDZX168B-1BF4双方向シングルラインTVSダイオード
10/14/2024
10/14/2024
このデバイスは、データラインまたは他のI/OポートをESD過渡現象から保護するように設計されています。
STMicroelectronics STTH120RQ06-M2Y 600V超高速ブリッジモジュール
10/08/2024
10/08/2024
車両に統合された充電器アプリケーション、または充電ステーションでの使用に適しています。
STMicroelectronics NチャンネルMDmesh K6パワーMOSFET
07/22/2024
07/22/2024
800V、ツェナー・ダイオードによる保護、100%アバランシェ試験済み。フライバック・コンバータおよびLED照明に最適。
STMicroelectronics GWA40MS120DF4AG車載用MSシリーズIGBT
07/03/2024
07/03/2024
1200V、40A、低損失、低い熱抵抗を実現。TO-247ロング・リード・パッケージで提供。
表示: 1～25/37
Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
10/14/2026
10/14/2026
28V電源レール上で30MHz～1215MHzの範囲で動作する50Ω入力整合ディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
10/06/2026
10/06/2026
2.5GHz～2.9GHz、および2.9GHz～3.3GHzで動作する200W～300WのディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Infineon Technologies HybridPACK™ HD CoolSiC™ MOSFETモジュール
10/02/2026
10/02/2026
電気商用車用トラクションインバータ向け1400V CoolSiC MOSFETモジュールです。
STMicroelectronics TVS221SC-1T2 単方向シングルラインTVS
09/15/2026
09/15/2026
電源ラインまたはその他の低速I/OをESDおよび小さなサージトランジェントから保護するように設計されています。
MACOM MLP7102-0503 PIN Diode
09/14/2026
09/14/2026
Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.
Littelfuse AK10-FB アキシャルリード型 TVSダイオード
09/10/2026
09/10/2026
AC、DC双方のライン保護アプリケーションにおいて、 厳しい試験環境に対応するように設計されています。
Texas Instruments JFE2325デュアル低電力NチャンネルJFET
09/09/2026
09/09/2026
エレクトレットコンデンサマイクロホン（ECM）など、非常に高いインピーダンスのセンサとの使用を想定しています。
IXYS IXSH50N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、55 mΩ、48.3 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH100N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、21 mΩ、102 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
IXYS IXSH150N120L3KHV SiC MOSFET
09/02/2026
09/02/2026
1200 V、13.5 mΩ、147 A の SiC MOSFET で、産業用スイッチモード電源への使用が推奨されています。
表示: 1～25/1163