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= ROHM Semiconductor
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ROHM Semiconductor BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE パック™ 成形モジュール付き
03/17/2026
03/17/2026
定格電圧1,200Vが特徴で、41.6mm × 52.5mm のパッケージに収められており、第4世代SiC MOSFETが統合されています。
ROHM Semiconductor BM2P10xJ-Z PWM-タイプDC DCコンバータIC
11/03/2025
11/03/2025
730VスイッチングMOSFET機能を内蔵し、高電圧AC電源から直接作動します。
ROHM Semiconductor 750V NチャンネルSiC MOSFET
10/17/2025
10/17/2025
デバイスはスイッチング周波数をブーストし、コンデンサ、リアクタ、その他必要なコンポーネントを減少させます。
ROHM Semiconductor RD3x車載用NチャンネルパワーMOSFET
10/16/2025
10/16/2025
AEC-Q101 MOSFETは、低順方向電圧、高速リカバリ時間、高サージ能力を備えています。
ROHM Semiconductor BM3G107MUV-EVK-003評価ボード
08/27/2025
08/27/2025
BM3G107MUV GaN HEMT電力段ICの機能を評価および実証するように設計されています。
ROHM Semiconductor BM3G115MUV-EVK-003評価ボード
08/27/2025
08/27/2025
BM3G115MUV GaN HEMT パワーステージICの機能を評価・実証するために設計されています。
ROHM Semiconductor RF202LB2S超高速リカバリダイオード
08/21/2025
08/21/2025
低 VF 、かつ低スイッチング損失が特長のシリコンエピタキシャルプレーナ型超高速リカバリダイオードです。
ROHM Semiconductor RNxMFH 車載グレードPINダイオード
08/21/2025
08/21/2025
車載グレードダイオードで、超小型モールドパッケージになっており、高周波数スイッチングに適しています。
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V Nチャネル SiC パワーMOSFET
08/21/2025
08/21/2025
ドレイン・ソース間電圧 1700V（VDSS）、および連続ドレイン電流3.9A（ID）の定格SiC MOSFETです。
ROHM Semiconductor RH7G04 40V NチャンネルパワーMOSFET
08/19/2025
08/19/2025
これらのデバイスは、AEC-Q101認定、40V VDSS 、±40A ID定格車載グレードMOSFETです。
ROHM Semiconductor BR25G-5 SPI BUS EEPROM
08/19/2025
08/19/2025
これらのデバイスは、SPI BUSインターフェイスの16KビットシリアルEEPROMで、書き換え回数400万回を実現しています。
表示: 1～25/218
Murata MYRGC075060W31RB/MYRGC075060B31RB DC-DCコンバータ
10/15/2026
10/15/2026
制御 IC とインダクタを統合した 36V・600mA DC‑DC コンバータ。
onsemi NB3N1900KMNGEVB PCIe Evaluation Board
10/15/2026
10/15/2026
Designed to quickly evaluate, characterize, and verify the operation of the NB3N1900K devices.
STMicroelectronics EVL101G50FLT HPF Flyback Controller
10/15/2026
10/15/2026
50W High-Power-Factor (HPF) quasi-resonant converter with isolated secondary-side regulation.
Qorvo QPD1000A GaN入力整合トランジスタ
10/14/2026
10/14/2026
28V電源レール上で30MHz～1215MHzの範囲で動作する50Ω入力整合ディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
Microchip Technology TA101トラストアンカー認証IC
10/13/2026
10/13/2026
これらのデバイスは、複数の非対称暗号、共通鍵暗号、ハッシュ処理に対応するセキュリティプロトコルを統合しています。
onsemi FAD1100EVB Driver Evaluation Board
10/13/2026
10/13/2026
Designed to evaluate the performance and functionality of the FAD1100 automotive ignition driver IC.
Qorvo QPC6122 Absorptive SPDT Switch
10/13/2026
10/13/2026
Wideband switching, reduces component count, and maintains low insertion loss and signal linearity.
onsemi FAD1110EVB Driver Evaluation Board
10/13/2026
10/13/2026
Designed to evaluate the performance and functionality of the FAD1110 automotive ignition driver IC.
Qorvo QPC6188 Absorptive SP4T Switch
10/13/2026
10/13/2026
Designed for use in cellular infrastructure, 5G, and other high-performance communication systems.
Microchip Technology EVB-PCI11010C-EDS2評価ボード
10/08/2026
10/08/2026
PCI11010Cを使用したPCIeペリフェラルアプリケーションの開発評価用ボードです。
Microchip Technology EVB-PCI11400C評価ボード
10/08/2026
10/08/2026
USBホストポートを4つ備え、PTMおよびプログラム対応I/Oに対応したPCIeスイッチボードです。
Microchip Technology EVB-PCI11414C評価ボード
10/08/2026
10/08/2026
USBホスト、イーサネット、10BASE-T1S、PTM、プログラム可能I/Oに対応したPCIe評価ボードです。
Abracon ASWD-S4-0011 SP4T RF & Antenna Switch
10/08/2026
10/08/2026
A low-loss, high-isolation SP4T reflective RF switch for high-performance switching applications.
STMicroelectronics M24M04E-F 4-Mbit シリアルI2C 対応 EEPROM
10/08/2026
10/08/2026
512K x 8ビット構成の4-MbitシリアルI2C対応 EEPROMです。
Microchip Technology AVR16LAマイクロコントローラ（MCU）
10/07/2026
10/07/2026
AVR CPU とハードウェア乗算器を統合し、最大20MHzのクロック周波数で動作します。
Qorvo QPD2562L GaN RFパワートランジスタ
10/06/2026
10/06/2026
2.5GHz～2.9GHz、および2.9GHz～3.3GHzで動作する200W～300WのディスクリートGaN-on-SiC HEMTです。
表示: 1～25/8205