信号インダクタ

TDK信号インダクタは、最先端の積層処理技術およびワイヤ巻線技術を使用して製造されています。そのワイヤ巻線技術には、高透磁率のフェライト粒子を用いた非常に効果的な閉鎖磁気回路が使用されており、Rdc値を低くしてエネルギー消費を削減します。TDK信号インダクタは、モバイル端末からさまざまなタイプの自動車機器およびシステムを対象としたコンシューマエレクトロニクスまで、いろいろなアプリケーションでの使用を目的に設計されています。

インダクタ、チョーク、コイルのタイプ

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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS インダクタンス 公差 最大 DC 電流 末端様式 最高動作温度 認証
TDK RFインダクタ - SMD 270nH 0.22ohms 650mA 10% 260MHz 6,592在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

270 nH 10 % 550 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 330nH 0.24ohms 650mA 10% 230MHz 4,647在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

330 nH 10 % 500 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 390nH 0.28ohms 600mA 5% 210MHz 7,018在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

390 nH 5 % 450 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 470nH 0.38ohms 600mA 10% 190MHz 2,542在庫
24,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 4,000

470 nH 10 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 560nH 0.4ohms 550mA 10% 170MHz 3,997在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

560 nH 10 % 400 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 30mA, 2.2H, 1.3
90,990取寄中
最低: 1
複数: 1
: 10,000

2.2 uH 10 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 2.2uH 324mohms 730mA 125C Wound Ferrite 16在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,000

2.2 uH 20 % 390 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RFインダクタ - SMD 220nH 32.4mohms 2.4A 125C Wound Ferrite
22,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 2,000

220 nH 20 % 2.4 A SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 12uH 1.8ohms 10mA +/-5% Fer AEC-Q200 23,970在庫
最低: 1
複数: 1
: 4,000

12 uH 5 % 10 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 0402 1.0uH 5% AEC-Q200
9,509予想2026/08/26
最低: 1
複数: 1
: 10,000

1 uH 5 % 40 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 0402 1.2uH 5% AEC-Q200
9,854予想2026/09/07
最低: 1
複数: 1
: 10,000

1.2 uH 5 % 35 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 1mm x 0.5mm x 0.5mm, -55 to +125 degC, 45mA, 0.68H, 550m
10,000取寄中
最低: 1
複数: 1
: 10,000

680 nH 5 % 45 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 15uH 2.86ohms 175mA Wound Ferrite
2,000予想2026/08/05
最低: 1
複数: 1
: 2,000

15 uH 10 % 175 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RFインダクタ - SMD 33uH 4.2ohms 120mA 2.5x2.0mm AEC-Q200
2,000予想2026/08/24
最低: 1
複数: 1
: 2,000

33 uH 10 % 120 mA SMD/SMT + 105 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 4.7uH 1.04ohms 285mA Wound Ferrite
4,000予想2026/10/26
最低: 1
複数: 1
: 2,000

4.7 uH 20 % 285 mA SMD/SMT + 105 C
TDK RFインダクタ - SMD 220nH 60mohms 1.69A 125C Wound Ferrite
3,977予想2026/08/10
最低: 1
複数: 1
: 2,000

220 nH 20 % 1.69 A SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 0.22uH 0.05ohm 1.69A 2.5x2.0mm AEC-Q200
1,998予想2026/10/28
最低: 1
複数: 1
: 2,000

220 nH 20 % 1.69 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 0.68uH 0.045ohm 1.9A 3.2x2.5mm AEC-Q200
2,000予想2026/08/10
最低: 1
複数: 1
: 2,000

680 nH 20 % 1.9 A SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD SUGGESTED ALTERNATE NLCV25T-100K-EFRD
2,000予想2026/10/06
最低: 1
複数: 1
: 2,000

10 uH SMD/SMT AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 50mA, 1H, 500m
7,980予想2026/08/24
最低: 1
複数: 1
: 4,000

1 uH 5 % 50 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 30mA, 3.9H, 1.45
8,000予想2026/08/24
最低: 1
複数: 1
: 4,000

3.9 uH 5 % 30 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD .39 UH 10%
4,000予想2026/08/24
最低: 1
複数: 1
: 4,000

390 nH 10 % 100 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 1.6mm x 0.8mm x 0.8mm, -55 to +125 degC, 15mA, 5.6H, 1.1
7,906予想2026/09/21
最低: 1
複数: 1
: 4,000

5.6 uH 5 % 15 mA SMD/SMT + 125 C
TDK RFインダクタ - SMD 330nH 400mohms 250mA +/-10% Fer AEC-Q200
3,995予想2026/11/12
最低: 1
複数: 1
: 4,000

330 nH 10 % 250 mA SMD/SMT + 125 C AEC-Q200
TDK RFインダクタ - SMD 2mm x 1.25mm x 1.25mm, -55 to +125 degC, 15mA, 5.6H, 600m
1,038予想2026/08/26
最低: 1
複数: 1
: 2,000

5.6 uH 20 % 15 mA SMD/SMT + 125 C