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LT4200RUHG#PBF

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Mouser 番号：

584-LT4200RUHGPBF

メーカ番号：

LT4200RUHG#PBF

メーカ：

Analog Devices

詳細：

ホットスワップ電圧コントローラ 12V 50A HotSwap using Copackage Nexperia

データシート:

LT4200RUHG#PBF データシート

ECADモデル:

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出荷アラート:

マウサーは現在お客様の地域でこの製品を販売しておりません。

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

製品属性	属性値	属性の選択
メーカ:	Analog Devices Inc.
製品カテゴリー:	ホットスワップ電圧コントローラ
配送制限	マウサーは現在お客様の地域でこの製品を販売しておりません。
RoHS:
製品:	Controllers & Switches
電流制限:	57 A
供給電圧 - 最大:	15 V
供給電圧 - 最小:	2.9 V
チャンネル数:	1 Channel
動作供給電流:	1.6 mA
最低動作温度:	- 40 C
最高動作温度:	+ 150 C
取り付け様式:	SMD/SMT
パッケージ/ケース:	QFN-36
パッケージ化:	Tube
停電検出:	Yes
ブランド:	Analog Devices
開発キット:	DC3024A
入力/供給電圧 - 最大:	15 V
入力/供給電圧 - 最小:	2.9 V
水分感度:	Yes
製品タイプ:	Hot Swap Voltage Controllers
シリーズ:	LT4200
工場パックの数量:	45
サブカテゴリ:	PMIC - Power Management ICs
別の部品番号:	LT4200RUHG#TRPBF

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LT4200RUHG#PBF データシート

PCN

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コンプライアンスコード

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

原産地分類

原産国:: タイ
組立原産国:: 入手不可
拡散国:: 入手不可

出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

LT4200 50AホットスワップEヒューズ

Analog Devices Inc. LT4200 50AホットスワップEヒューズは、ライブ・バックプレーンからボードを安全に着脱できるホットスワップ・アプリケーション用の統合ソリューションです。この部品には、ホットスワップコントローラ、パワーMOSFET、電流センス・レジスタが、小型フォームファクターアプリケーション用の単一パッケージに統合されています。MOSFET安全動作領域は、生産テストが完了しており、ホットスワップ・アプリケーションでのストレスに関する保証があります。

パワー・マネジメント

Analog Devices Inc.パワー・マネジメントICには、比類のない電力密度、超低ノイズ技術、優れた信頼性があります。これによって、機能密度を増大させコストを削減しながら、システムが最適な効率性、速度、電力レベルで動作することが保証されます。開始から終了までの総合的な電力設計ツールスイートおよび高度に構成可能な電力相互接続ソリューションは、ADIの低複雑性電源管理ソリューションをサポートしており、ベストインクラスの性能を発揮しながら市場投入までの時間を加速するエンジニアに役立ちます。’

LM5060-Q1ハイサイド保護コントローラ

Texas Instruments LM5060-Q1ハイサイド保護コントローラには、低自己消費電流が備わっており、通常のON/OFF切替時および障害状態におけるハイサイドNチャンネルMOSFETのインテリジェント制御を実現しています。出力電圧のほぼ一定の立ち上がり時間は、突入電流制御の結果です。（ヒステリシスあり）入力UVLOおよびプログラマブル入力OVPの両方が実現されており、リモート・オンまたはオフ制御が可能なイネーブル入力が備わっています。初期スタートアップV_GS故障検出遅延時間、移行V_DS故障検出遅延時間、連続過電流V_DS故障検出遅延時間は、単一のコンデンサでプログラミングできます。MOSFETは、イネーブル入力またはUVLO入力が「低」にトグルされるまでラッチオフされ、許可された障害遅延時間より障害状態が長時間検出されると「高」になります。