シリコンカーバイド(SiC)パワーデバイス

ROHM Semiconductorシリコンカーバイド(SiC)パワーデバイスは、シリコン(Si)とカーボン(C)で構成されています。 シリコンパワーデバイスと比較して、SiCパワーデバイスには、10倍の絶縁破壊電界強度、3倍のバンドギャップ、3倍の熱導電性があります。 SiCパワーデバイスは、スイッチング損失も低く、ON抵抗も低くなり、温度が高くとも動作できる性能を持っています。 これらの特徴によって、電力損失が低くなり、モジュールサイズが小さくなりました。 また、設計者が使用する部品数も少なくなり、設計の複雑性をさらに削減できます。
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選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS 製品タイプ 技術 取り付け様式 パッケージ/ケース
ROHM Semiconductor ディスクリート半導体モジュール Half Bridge Module SiC DMOS & SBD 1200V 非在庫リードタイム 27 週間
¥52,941.1
最低: 12
複数: 12
Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール Mod: 1200V 180A (no Diode) 非在庫リードタイム 27 週間
¥89,909.9
最低: 1
複数: 1
MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor ディスクリート半導体モジュール SIC Pwr Module Chopper 非在庫リードタイム 27 週間
¥175,403.3
最低: 4
複数: 4
Discrete Semiconductor Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor MOSFETモジュール SIC Pwr Module Half Bridge 非在庫リードタイム 27 週間
¥438,504
最低: 4
複数: 4
MOSFET Modules SiC Screw Mount Module
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード DIODE: 8A 600V 非在庫リードタイム 21 週間
リール
¥398.6
最低: 1,000
複数: 1,000
: 1,000
SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード AECQ 非在庫リードタイム 21 週間
¥1,875.3
¥1,325.5
¥1,104.6
¥983.3
¥835.5
最低: 1
複数: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N
非在庫リードタイム 27 週間
¥10,444.4
最低: 450
複数: 450
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 6A, 2nd Gen 非在庫リードタイム 21 週間
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード RECT 650V 12A SM SIC SKY 非在庫リードタイム 21 週間
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SIC SCHOTTKYダイオード SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 20A, 2nd Gen 非在庫リードタイム 21 週間
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2