MASTERGAN7TR

STMicroelectronics
511-MASTERGAN7TR
MASTERGAN7TR

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ 650 V enhancement mode GaN High power density half-bridge with high voltage driver
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ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（3000の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥1,154.4 ¥1,154
¥885.3 ¥8,853
¥817.2 ¥20,430
完全リール（3000の倍数で注文）
¥817.2 ¥2,451,600
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
STMicroelectronics
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
Half-Bridge
SMD/SMT
QFN-35
2 Driver
9 V
18 V
5 ns
- 40 C
+ 125 C
MASTERGAN7
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: STMicroelectronics
入力電圧－最大: 18 V
入力電圧－最小: 9 V
水分感度: Yes
製品タイプ: Gate Drivers
工場パックの数量: 3000
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
単位重量: 150 mg
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選択した属性: 0

データシート

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コンプライアンスコード
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99
原産地分類
原産国:
シンガポール
組立原産国:
入手不可
拡散国:
入手不可
出荷時に原産国または地域が変更される場合があります。

MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバ

STMicroelectronics MASTERGAN GaNハーフブリッジ高電圧ドライバには、高電力密度電源が実装されており、ハーフブリッジ構成でのゲートドライバと2つのエンハンスメントモードGaNトランジスタの両方が集積されています。統合パワーGaNは、150mΩのRDS (ON) および650Vドレイン・ソース破壊電圧が特徴です。集積ブートストラップダイオードは、組み込みゲートドライバの低圧側に迅速に電源を供給できます。

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