Diodes Incorporated クロックバッファ

結果: 270
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 出力数 最高出力周波数 伝搬遅延 - 最大 出力タイプ パッケージ/ケース 入力タイプ 最高入力周波数 供給電圧 - 最小 供給電圧 - 最大 シリーズ 最低動作温度 最高動作温度
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ W-QFN3030-16 T&R 3.5K 2,450在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 350
: 3,500

8 Output 200 MHz 2 ns TQFN-16 200 MHz 900 mV 1.98 V PI6CL10808 - 40 C + 105 C


Diodes Incorporated クロックバッファ 3807 with 25Ohm Resistor 1,000在庫
最低: 1
複数: 1

10 Output 2.5 ns QSOP-20 133 MHz 2.97 V 3.63 V PI49FCT32807 - 40 C + 85 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ X2-DFN0808-5 T&R 5K 4,665在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 170
: 5,000

1 Output 5 ns LVCMOS DFN-5 60 MHz 900 mV 1.98 V PI6CL1001 - 40 C + 105 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ V-QFN9090-64 T&R 3K 3,000在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

12 Output 400 MHz 2.65 ns HCSL TQFN-64 HCSL 400 MHz 3.465 V 3.135 V - 40 C + 85 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ V-QFN5050-40 T&R 3.5K 817在庫
3,500予想2026/08/11
最低: 1
複数: 1
最大: 340
: 3,500

8 Output 400 MHz 3 ns HCSL VQFN5050-40 400 MHz 2.97 V 3.63 V PI6CB332008A - 40 C + 105 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ V-QFN7070-56 T&R 3K 3,000在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 300
: 3,000

13 Output 400 MHz 3 ns Differential VQFN7070-56 CMOS 400 MHz 2.97 V 3.63 V - 40 C + 105 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ V-QFN6060-80 T&R 3K 3,000在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 300
: 3,000

20 Output 400 MHz 3 ns Differential aQFN-80 CMOS 400 MHz 2.97 V 3.63 V - 40 C + 105 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ V-QFN9090-64 T&R 3K 3,000在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 300
: 3,000

16 Output 400 MHz 3 ns Differential TQFN-64 CMOS 400 MHz 2.97 V 3.63 V - 40 C + 105 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ V-QFN6060-80 T&R 3K 3,000在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 300
: 3,000

20 Output 400 MHz 3 ns Differential aQFN-80 CMOS 400 MHz 2.97 V 3.63 V - 40 C + 105 C


Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ V-QFN4040-28 T&R 3.5K 2,882在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 250
: 3,500

2 Output 400 MHz 3000 ps HCSL V-QFN4040-28 CMOS 400 MHz 2.97 V 3.63 V - 40 C + 105 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ W-QFN5050-32 T&R 2.5K 1,959在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

4 Output 1.5 GHz 570 ps LVDS, LVCMOS WQFN5050-32 Differential, LVCMOS 1.5 GHz 2.375 V 3.465 V - 40 C + 125 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ W-QFN5050-32 T&R 2.5K 2,415在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

2 Output 1.5 GHz 570 ps LVDS, LVCMOS WQFN5050-32 Differential, LVCMOS 1.5 GHz 2.375 V 3.465 V - 40 C + 125 C
Diodes Incorporated クロックバッファ 1:4 PCI Express Gen3 Zero Delay Buffer 16,672在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,000

4 Output 100 MHz 6.5 ns HCSL TSSOP-Wide-28 HCSL 400 MHz 3.135 V 3.465 V PI6C20400B - 40 C + 85 C
Diodes Incorporated クロックバッファ Diff-to-LVCMOS/LVTTL Translator, AECQ-10 1,489在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 90
: 2,500

1 Output 360 MHz 2.5 ns LVCMOS, LVTTL SOIC-Wide-8 Differential 2.375 V 3.6 V PI6C49CB01Q - 40 C + 105 C
Diodes Incorporated クロックバッファ LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER 5,313在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 480
: 2,500

4 Output 250 MHz 5 ns LVCMOS, LVTTL SOIC-Wide-8 LVCMOS, LVTTL 1.425 V 3.6 V PI6C49CB04AQ - 40 C + 85 C
Diodes Incorporated クロックバッファ LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER 2,156在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

4 Output 250 MHz 5 ns LVCMOS, LVTTL SOIC-Wide-8 LVCMOS, LVTTL 160 MHz 1.425 V 3.6 V PI6C49CB04AQ - 40 C + 85 C

Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ W-QFN5050-40 T&R 3.5K 2,661在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,500

Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ X1-DFN2020-8 T&R 3.5K 1,803在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 60
: 3,500

4 Output 250 MHz 5 ns CMOS X1DFN-8 CMOS 250 MHz 1.425 V 3.465 V - 40 C + 105 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ X1-DFN2020-8 T&R 3.5K 4,937在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 150
: 3,500
2 Output 250 MHz 4 ns CMOS X1DFN-8 CMOS 250 MHz 1.425 V 3.465 V - 40 C + 105 C
Diodes Incorporated クロックバッファ LOW SKEW 1 TO 4 CLOCK BUFFER 2,728在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 180
: 2,500

4 Output 250 MHz 5 ns LVCMOS, LVTTL SOIC-Wide-8 LVCMOS, LVTTL 1.425 V 3.6 V PI6C49CB04AQ - 40 C + 105 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ 958在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,500

2 Output 133.33 MHz 3 ns HCSL TQFN-24 HCSL 200 MHz 3.135 V 3.465 V - 40 C + 85 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ 4,319在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 270
: 3,500

2 Output 133.33 MHz 3 ns HCSL TQFN-24 HCSL 200 MHz 3.135 V 3.465 V - 40 C + 85 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ 2,908在庫
最低: 1
複数: 1
最大: 330
: 2,500

4 Output 133.33 MHz 3 ns CMOS, HCSL TQFN-32 CMOS, HCSL 200 MHz 3.135 V 3.465 V - 40 C + 85 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ 5,637在庫
最低: 1
複数: 1
: 2,500

4 Output 133.33 MHz 3 ns CMOS, HCSL TQFN-32 CMOS, HCSL 200 MHz 3.135 V 3.465 V - 40 C + 85 C
Diodes Incorporated クロックバッファ クロックバッファ 2,133在庫
最低: 1
複数: 1
: 3,500

6 Output 133.33 MHz 3 ns CMOS, HCSL TQFN-40 CMOS, HCSL 200 MHz 3.135 V 3.465 V - 40 C + 85 C