|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
- EPC2088
- EPC
-
1:
¥926.8
-
12,690予想2027/02/10
-
Mouser 初
|
Mouser 部品番号
65-EPC2088
Mouser 初
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
|
|
12,690予想2027/02/10
|
|
|
¥926.8
|
|
|
¥483.4
|
|
|
¥441.8
|
|
|
¥395.3
|
|
|
¥340.5
|
|
|
¥320.6
|
|
最低： 1
複数： 1
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-8
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
60 A
|
3.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
12.5 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
- EPC2302
- EPC
-
1:
¥1,481.6
-
62,957取寄中
-
Mouser 初
|
Mouser 部品番号
65-EPC2302
Mouser 初
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
|
|
62,957取寄中
取寄中:
11,957 予想2026/11/06
21,000 予想2027/01/13
30,000 予想2027/07/27
|
|
|
¥1,481.6
|
|
|
¥820.5
|
|
|
¥754.1
|
|
|
¥740.8
|
|
|
¥659.4
|
|
|
¥599.6
|
|
最低： 1
複数： 1
:
3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
QFN-7
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
133 A
|
1.8 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
23 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2106
- EPC
-
1:
¥485
-
4,544予想2027/01/01
-
Mouser 初
|
Mouser 部品番号
65-EPC2106
Mouser 初
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
4,544予想2027/01/01
|
|
|
¥485
|
|
|
¥247.5
|
|
|
¥215.9
|
|
|
¥174.4
|
|
|
¥149
|
|
|
表示
|
|
|
¥167.8
|
|
|
¥136.4
|
|
|
¥133.7
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA-9
|
N-Channel
|
2 Channel
|
100 V
|
1.7 A
|
70 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
730 pC, 730 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
- EPC2221
- EPC
-
1:
¥629.5
-
2,500予想2026/10/07
-
Mouser 初
|
Mouser 部品番号
65-EPC2221
Mouser 初
|
EPC
|
GaN FET EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
|
|
2,500予想2026/10/07
|
|
|
¥629.5
|
|
|
¥318.9
|
|
|
¥287.4
|
|
|
¥234.2
|
|
|
¥197.7
|
|
|
¥191
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
BGA
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
5 A
|
58 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
0.85 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
- EPC2092
- EPC
-
1,000:
¥453.5
-
非在庫リードタイム 18 週間
-
新製品
|
Mouser 部品番号
65-EPC2092
新製品
|
EPC
|
GaN FET 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
|
|
非在庫リードタイム 18 週間
|
|
|
¥453.5
|
|
|
¥441.8
|
|
|
見積り
|
|
|
見積り
|
|
最低： 1,000
複数： 1,000
:
1,000
|
|
|
SMD/SMT
|
|
N-Channel
|
1 Channel
|
100 V
|
69 A
|
3.2 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
12 nC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
|
|
GaN FET EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
- EPC8002
- EPC
-
1:
¥825.5
-
非在庫リードタイム 18 週間
-
Mouser 初
|
Mouser 部品番号
65-EPC8002
Mouser 初
|
EPC
|
GaN FET EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
|
|
非在庫リードタイム 18 週間
|
|
|
¥825.5
|
|
|
¥425.2
|
|
|
¥387
|
|
|
¥332.2
|
|
|
¥270.7
|
|
|
表示
|
|
|
¥322.2
|
|
|
¥267.4
|
|
最低： 1
複数： 1
:
2,500
|
|
|
SMD/SMT
|
LGA-6
|
N-Channel
|
1 Channel
|
65 V
|
2 A
|
480 mOhms
|
- 4 V, 6 V
|
2.5 V
|
133 pC
|
- 40 C
|
+ 150 C
|
Enhancement
|
eGaN FET
|
GaN
|
|
