1200V CoolSiC™モジュール

Infineon Technologies 1200V CoolSiC™モジュールは、シリコン・カーバイド(SiC)MOSFETモジュールで、優れたレベルの効率とシステムの柔軟性が得られます。これらのモジュールには、近閾値回路(NTC)およびPressFITコンタクト技術が採用されています。Coolsicモジュールは、高電流密度、ベスト・イン・クラスのスイッチングと伝導損失が備わっており、低誘導設計になっています。これらのモジュールは、高周波数動作、電力密度の増大、開発サイクル時間とコストの最適化を実現しています。

結果: 20
選択 画像 部品番号 メーカ 説明 データシート 在庫状況 価格: (JPY) 数量に基づき、単価ごとに表の結果をフィルタリングする 数量 RoHS ECADモデル 製品 タイプ 技術 Vf - 順電圧(Forward Voltage) Vr - 逆電圧(Reverse Voltage) Vgs - ゲート-ソース間電圧 取り付け様式 最低動作温度 最高動作温度 シリーズ パッケージ化


Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール CoolSiC MOSFET booster module 1200 V 21在庫
最低: 1
複数: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 19在庫
最低: 1
複数: 1

Half Bridge Si M1H Tray


Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module 24在庫
最低: 1
複数: 1

Si M1H Tray


Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール CoolSiC MOSFET booster module 1200 V 22在庫
最低: 1
複数: 1

Si M1H Tray


Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module 17在庫
最低: 1
複数: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V 40在庫
最低: 1
複数: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール MEDIUM POWER 62MM 118在庫
最低: 1
複数: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC 4在庫
最低: 1
複数: 1

Si 4.2 V - 10 V, + 23 V Press Fit - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール EasyPACK module with CoolSiC Trench MOSFET and PressFIT / NTC 24在庫
最低: 1
複数: 1

MOSFET Modules Si 4.2 V 1.2 kV - 7 V to + 20 V SMD/SMT Tray


Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール Booster 1200 V CoolSiC MOSFET Module 31在庫
最低: 1
複数: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 72在庫
最低: 1
複数: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール 1200V, 62mm Module with CoolSiC Trench MOSFET 10在庫
最低: 1
複数: 1

CoolSiC Trench MOSFET Half Bridge SiC - 10 V, 23 V Stud Mount - 40 C + 175 C M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール MEDIUM POWER 62MM 32在庫
最低: 1
複数: 1

Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール Half-bridge 1200 V CoolSiC MOSFET Module 38在庫
最低: 1
複数: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール HYBRID PACK DRIVE G1 SIC 12在庫
最低: 1
複数: 1
SiC Modules SiC Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 3在庫
最低: 1
複数: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 4在庫
最低: 1
複数: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET 非在庫リードタイム 33 週間
最低: 1
複数: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール CoolSiC MOSFET half bridge module 1200 V 非在庫リードタイム 14 週間
最低: 1
複数: 1

Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies ディスクリート半導体モジュール HYBRID PACK DRIVE G1 SIC 非在庫リードタイム 39 週間
最低: 12
複数: 12

SiC Modules SiC Tray