Infineon Technologies EasyPACK™ C Series CoolSiC MOSFET モジュール
インフィニオン (Infineon) EasyPACK™ C Series CoolSiC MOSFET モジュールは、第 2 世代 CoolSiC トレンチ MOSFET と、低インダクタンスの Easy C Series プラットフォームを組み合わせています。XT 相互接続テクノロジーこれらのインフィニオン (Infineon) モジュールは、超低スイッチング損失、寄生要素の高精度な制御、そしてパワーサイクリング時の堅牢性向上を実現します。堅牢な PressFIT ピン、統合された NTC センシング、統合された取り付けクランプ、そして高 CTI 絶縁により、組み立てが効率化され、要求の厳しいミッションプロファイルをサポートします。4 パック(F4)および 3 レベル(F3)トポロジで提供されるこのシリーズは、8mΩ と 13mΩ の抵抗クラスをラインナップし、EMI 性能と熱マージンを維持しながら、スイッチング周波数の向上、磁性部品の小型化、そして電力密度の向上を実現します。特徴
- 1200V CoolSiC MOSFET M2 トレンチテクノロジーは、導通損失とスイッチング損失を低減します。
- EasyPACK™ C シリーズの低インダクタンスモジュールアーキテクチャは、オーバーシュート、リンギング、および EMI を最小化します。
- より高い効率性と周波数ヘッドルーム — 低 EON/EOFF と低浮遊インダクタンスにより、性能を損なうことなく、よりクリーンな過渡応答と磁性部品の小型化を実現します。
- ライフタイム・バイ・デザイン(設計段階から長寿命を確保)- XT 相互接続テクノロジーは、電力サイクル耐性の向上と動作温度範囲の拡大に向けて、機械的および熱的な堅牢性を強化します。
- 8mΩ および 13mΩ の抵抗クラス
- 広い安全動作領域と産業グレードの認証
- 予測可能な制御と保護 — CoolSiC Gen2 のゲート酸化膜改良と統合 NTC 温度センシングにより、温度全域で安定した動作を実現します。
- はんだ不要で再現性の高い組み立て — PressFIT 端子と統合取り付けクランプにより、生産を加速し、機械的信頼性を向上します。
- スケーラブルなプラットフォーム — 4 パックおよび 3 レベルの各バリアントにわたり、Easy 2C の一貫したフットプリントとピン哲学により、レイアウトの再利用とアップグレードが容易になります。
- 1200V アプリケーション向けに、最適化された沿面距離/クリアランスを備えた高 CTI 絶縁。
アプリケーション
- EV 向け DC 急速充電および産業用 DC 充電器(PFC および DC/DC ステージ)
- 高周波絶縁型および非絶縁型 DC/DC コンバータ(LLC、PSFB など)
- ソーラー/ESS ストリングインバータおよび 3 レベル NPC/T タイプステージ
- 無停電電源装置(UPS)および高性能産業用電源
- 産業用ドライブおよび補機駆動用コンバータ
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| 部品番号 | データシート | If - 順電流(Forward Current) | Id - 連続ドレイン電流 | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | ターンオン時の標準遅延時間 | 標準電源切断遅延時間 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| F3L8MXTR12C2M2H11BPSA1 | ![]() |
50 A | 95 A | 16.8 mOhms | 50.4 ns | 63 ns |
| F3L8MXTR12C2M2QH11BPSA1 | ![]() |
55 A | 95 A | 16.8 mOhms | 50.4 ns | 63 ns |
| F413MXTR12C1M2H11BPSA1 | ![]() |
30 A | 60 A | 25.2 mOhms | 24 ns | 48 ns |
| F413MXTR12C1M2QH11BPSA1 | ![]() |
30 A | 60 A | 25.2 mOhms | 24 ns | 39 ns |
| F48MXTR12C2M2H11BPSA1 | ![]() |
55 A | 95 A | 16.8 mOhms | 47 ns | 52.8 ns |
| F48MXTR12C2M2QH11BPSA1 | ![]() |
55 A | 100 A | 16.8 mOhms | 47 ns | 46.1 ns |
公開: 2026-04-17
| 更新済み: 2026-06-19

