Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3ゲートドライバ
Infineon EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 ゲートドライバは、同一プリント基板上で窒化ガリウム(GaN)およびシリコン(Si)のパワー設計を可能にするために設計されています。これらの120V共通フットプリント ゲートドライバは、Si MOSFETまたはエンハンスメントモード GaNトランジスタのデュアルローサイド、デュアルハイサイド、またはハーフブリッジ構成を駆動します。2EDL90xG3 モジュールは完全フローティング状態の2つの出力ゲートドライバを内蔵しており、スイッチドキャパシタやマルチレベルトポロジに特に有用です。シンプルなプルダウン抵抗によって5つの設定可能な入力モードの選択が可能です。これらの入力モードには、トライステート シングルPWMモード、HSCC LSモード、HSCC HSモード、Hi/Liモード、およびHi/Li反転モードがあります。EiceDRIVER 2EDL90xG3 ゲートドライバは、16ピン3mm x 3mmパッケージを特徴としており、JEDEC 47/20/22規格に準拠した産業アプリケーション向け製品の認定を取得しています。特徴
- 幅広いパワートポロジをサポート
- コンパクトで熱特性に優れたソリューション
- 高電力アプリケーションに最適
- 多様なユーザー要件に柔軟に対応
アプリケーション
- AIサーバー用中間バスコンバータ
- データ通信およびテレコム向け48V/54V降圧変換
- 800V/±400V LLCコンバータ(二次側)
- 多相インターリーブ降圧コンバータ(ILVB)
- ハイブリッド スイッチドキャパシタ コンバータ(HSCC)
仕様
- ジャンクション絶縁型デュアルチャネル・フローティング出力ドライバ
- 4A(Si)/1.6A(GaN)のソース出力電流容量
- 6Aのシンク出力電流容量
- 内蔵ブートストラップダイオード
- 安全かつ最適なGaN駆動のための5Vゲートクランプ
- HBおよびLB電源の絶対最大電圧:120V(GND基準)
- 3.3Vロジック準拠のPWM入力
- 4V~16Vのゲートドライバ電源電圧(Si)
- 4V~13.2Vのゲートドライバ電源電圧(GaN)
- HB、LB、およびVDD電源用の低電圧ロックアウト(UVLO)
- 15ns(標準)の伝搬遅延
- 6ns~100nsのデッドタイムまたはターンオン遅延時間を設定可能
- DCRまたはシャント方式による電流検出用の電流検出アンプを内蔵
- 幅広い電源トポロジーに対応:HVBuck、ハイブリッドSC、3レベルBuck、HV直列コンデンサBuck、スイッチコンデンサコンバータ、HBCD
- -40°C~+125°Cの動作接合部温度範囲
- TSNP-16パッケージ (3mm × 3 m)
- JEDEC 47/20/22の関連試験に基づき、産業用アプリケーションへの適合が認定されています
- 鉛フリーかつRoHS準拠
代表的なアプリケーション図
公開: 2026-07-01
| 更新済み: 2026-08-28
