Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3ゲートドライバ

Infineon EiceDRIVER™ 2EDL90xG3 ゲートドライバは、同一プリント基板上で窒化ガリウム(GaN)およびシリコン(Si)のパワー設計を可能にするために設計されています。これらの120V共通フットプリント ゲートドライバは、Si MOSFETまたはエンハンスメントモード GaNトランジスタのデュアルローサイド、デュアルハイサイド、またはハーフブリッジ構成を駆動します。2EDL90xG3 モジュールは完全フローティング状態の2つの出力ゲートドライバを内蔵しており、スイッチドキャパシタやマルチレベルトポロジに特に有用です。シンプルなプルダウン抵抗によって5つの設定可能な入力モードの選択が可能です。これらの入力モードには、トライステート シングルPWMモード、HSCC LSモード、HSCC HSモード、Hi/Liモード、およびHi/Li反転モードがあります。EiceDRIVER 2EDL90xG3 ゲートドライバは、16ピン3mm x 3mmパッケージを特徴としており、JEDEC 47/20/22規格に準拠した産業アプリケーション向け製品の認定を取得しています。

特徴

  • 幅広いパワートポロジをサポート
  • コンパクトで熱特性に優れたソリューション
  • 高電力アプリケーションに最適
  • 多様なユーザー要件に柔軟に対応

アプリケーション

  • AIサーバー用中間バスコンバータ
  • データ通信およびテレコム向け48V/54V降圧変換
  • 800V/±400V LLCコンバータ(二次側)
  • 多相インターリーブ降圧コンバータ(ILVB)
  • ハイブリッド スイッチドキャパシタ コンバータ(HSCC)

仕様

  • ジャンクション絶縁型デュアルチャネル・フローティング出力ドライバ
  • 4A(Si)/1.6A(GaN)のソース出力電流容量
  • 6Aのシンク出力電流容量
  • 内蔵ブートストラップダイオード
  • 安全かつ最適なGaN駆動のための5Vゲートクランプ
  • HBおよびLB電源の絶対最大電圧:120V(GND基準)
  • 3.3Vロジック準拠のPWM入力
  • 4V~16Vのゲートドライバ電源電圧(Si)
  • 4V~13.2Vのゲートドライバ電源電圧(GaN)
  • HB、LB、およびVDD電源用の低電圧ロックアウト(UVLO)
  • 15ns(標準)の伝搬遅延
  • 6ns~100nsのデッドタイムまたはターンオン遅延時間を設定可能
  • DCRまたはシャント方式による電流検出用の電流検出アンプを内蔵
  • 幅広い電源トポロジーに対応:HVBuck、ハイブリッドSC、3レベルBuck、HV直列コンデンサBuck、スイッチコンデンサコンバータ、HBCD
  • -40°C~+125°Cの動作接合部温度範囲
  • TSNP-16パッケージ (3mm × 3 m)
  • JEDEC 47/20/22の関連試験に基づき、産業用アプリケーションへの適合が認定されています
  • 鉛フリーかつRoHS準拠

代表的なアプリケーション図

アプリケーション回路図 - Infineon Technologies EiceDRIVER™ 2EDL90xG3ゲートドライバ
公開: 2026-07-01 | 更新済み: 2026-08-28