Infineon Technologies 中電圧CoolGaN™双方向スイッチ
Infineon Technologies中電圧CoolGaN™双方向スイッチは、Infineonの窒化ガリウム技術に基づくモノリシック双方向スイッチ(BDS)で構成されています。これらのデバイスは通常オフ状態で、1つのショットキーゲート(SG)を備え、両方向の電圧と電流を遮断する能力を備えています。これらのInfineon Technologies中電圧CoolGaN™双方向スイッチは、非常に小さなパッケージで提供され、さまざまなアプリケーションでバッテリ切断スイッチとして機能するのに最適です。
特徴
- 40V双方向Eモードトランジスタ
- 共通ソース構成
- 双方向遮断機能
- 低オン抵抗
- JEDECに準拠
- バックツーバックSiソリューションより小型パッケージにフィット
- +25°Cで72mWの電力損失節約
- 電力損失低減は高温で>100mW
アプリケーション
- モバイルデバイスとスマートフォンソリューション
- 電力変換
関連のあるスイッチ
電圧と電流を両方向にアクティブにブロックできるモノリシックGaNスイッチ。
評価用ボード
40V GaN 双方向スイッチを評価するためのコンパクトなドータボード
公開: 2026-03-04
| 更新済み: 2026-08-14