Infineon Technologies XHP™ 2 1700V IGBTモジュール

インフィニオン (Infineon) のXHP™ 2 1700V IGBTモジュールは、高性能パワーデバイスであり、要求の厳しい高電力システム向けに最適化された拡張可能なプラットフォーム上で構築されています。XHP 2パッケージは、低インダクタンスのマルチパッケージ構造を採用しており、寄生インダクタンスを低減し、クリーンなスイッチング特性を実現します。これらの特性により、大電流アプリケーションにおいて電圧オーバーシュートおよびスイッチング損失を低減します。先進のTRENCHSTOP™ IGBTテクノロジーと組み合わせます。XTインターコネクション技術と組み合わせることで、これらのモジュールは高い電流密度、低飽和電圧、および優れた熱サイクル耐性を実現し、最大接合温度+175°Cにおける高温環境でも信頼性の高い動作をサポートします。ハイパワー密度とスケーラブルな機械設計により、異なるコンバータプラットフォーム間で一貫した統合を可能にし、効率と長寿命を維持します。

特徴

  • TRENCHSTOP™ IGBT8、エミッタ制御型8ダイオード、およびNTCを搭載したXHP2モジュール
  • 低スイッチング損失
  • 高電流密度
  • 低誘導設計
  • 高い沿面距離および空間距離
  • ハイパワーおよび熱サイクリング機能
  • ハイパワー密度
  • CTI > 600のパッケージ
  • IEC 60747、IEC 60749、およびIEC 60068に準拠し、産業用アプリケーション向けに認定
  • RoHS準拠

アプリケーション

  • ハイパワーコンバータ
  • 風力タービン
  • モータドライブ
  • 牽引

仕様

  • 最大コレクタ・エミッタ間電圧:1700V
  • コレクタ電流:1400Aまたは2000A
  • 最大ゲート・エミッタ間ピーク電圧:±20V
  • 最大電力損失:1,400kWまたは2,200kW
  • 絶縁テスト電圧:4,0kV
  • 標準浮遊インダクタンスモジュール:10nH
  • 標準主エミッタインダクタンス1:1.5nH
  • 標準主エミッタインダクタンス2:3.5nH
  • モジュールリード抵抗標準値:0.27mΩ~0.41mΩ
  • モジュール取り付け用締め付けトルク:3Nm~6Nm
  • 端子接続トルク
    • M3ネジ時:0.9Nm~1.1Nm
    • M8ネジ時:8Nm~10Nm
  • CUモジュールベースプレート材質
  • ベースプレートの最大動作温度:+150°C

データシート

回路図

アプリケーション回路図 - Infineon Technologies XHP™ 2 1700V IGBTモジュール
公開: 2026-05-12 | 更新済み: 2026-05-22