Microchip 1200V SIC MOSFET は、外付けのフリーホイールダイオードを接続する必要がなく、高速で高信頼性の内蔵ボディダイオードによって優れたアバランシェ耐性を実現します。
The TO-247-4 Notch package enables efficient, high-power designs with improved thermal performance and reduced parasitic effects. Its four-lead layout includes a Kelvin source to reduce gate ringing and switching losses, while the Notch design enhances creepage distance for improved high-voltage reliability.
The QDPAK package is a compact, surface-mount, top-side cooled solution designed to maximize the performance advantages of silicon carbide devices in high-power applications. It enables a direct thermal path from the device to an external heatsink, decoupling heat dissipation from the PCB and improving thermal performance, power density, and layout flexibility. The package also reduces parasitic inductance, supports fast switching, and simplifies automated assembly, while its emerging industry‑standard footprint allows scalable, multi-source designs and reduced system complexity.
特徴
- 低静電容量/低ゲート電荷量
- 内部ゲート抵抗 (ESR) が低く、高速なスイッチング
- 高い接合部温度TJ(max) = 175°C での安定した動作
- 高速で信頼性の高いボディ・ダイオード
- 優れたアバランシェ耐性(量産でのUISテストを100%実施済み)
- 沿面距離(標準>8mm)
アプリケーション
- ソーラー発電 (PV) インバータ、コンバータ、産業用モータドライブ
- スマートグリッド伝達と分配
- 誘導加熱と溶接
- HEV(ハイブリッド電気自動車)パワートレイン、EV(電気自動車)充電器
- 電源と配電
代表的なアプリケーション
| 部品番号 | データシート | Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース | Id - 連続ドレイン電流 |
|---|---|---|---|
| MSC020SMB120B4N | ![]() |
24 mOhms | 97 A |
| MSC025SMB120B4N | ![]() |
33 mOhms | 81 A |
| MSC030SMB120B4N | ![]() |
40 mOhms | 69 A |
| MSC040SMB120B4N | ![]() |
53 mOhms | 54 A |
| MSC045SMB120B4N | ![]() |
60 mOhms | 49 A |
| MSC060SMB120B4N | ![]() |
80 mOhms | 38 A |
| MSC080SMB120B4N | ![]() |
107 mOhms | 30 A |
| MSC025SMB120Q | ![]() |
25 mOhms | |
| MSC030SMB120Q | ![]() |
30 mOhms | |
| MSC045SMB120Q | ![]() |
45 mOhms |


