Nexperia BAS21Q 高電圧スイッチング・ダイオード

Nexperia BAS21Q高電圧スイッチング・ダイオードは、サイドウェッタブル・フランクを施したDFN1110D-3およびDFN1412D-3リードレスSMDプラスチック・パッケージにカプセル化されています。これらのダイオードは、_trr ≤50ns の高速スイッチング、V_R ≤200V の高逆電圧、0.5mmの低パッケージ高さ、C_d ≤5pF の低容量で動作します。BAS21Qダイオードは、低リーク電流が特徴で、高速スイッチング、汎用スイッチング、電圧クランピング、逆極性保護といったアプリケーションに使用されます。