onsemi GaNEXUS™ GaN FET

オンセミ (onsemi) GaNEXUS™窒化ガリウム電界効果トランジスタ（GaN FET）は、GaNのワイドバンドギャップ材質特性を利用して、高速スイッチング、低ゲートおよび出力充電、そしてシリコン電力トランジスタと比較して強化された効率性を実現します。これらの機能により、低電圧、中電圧、高電圧、超高電圧の電力変換アプリケーションにおいて、より高い動作周波数、電力密度の向上、および磁気成分の低減が可能になります。エンハンスメントモードのディスクリートGaN高電子移動度トランジスタ（HEMT）には、40Vから650Vまでの電圧範囲を提供し、信頼性を向上させ、システム統合を簡素化するための統合保護を備えた650V GaNEXUSスマートGaN FETも含まれています。オンセミ (onsemi) GaNEXUSファミリの理想的な用途には、産業用オートメーション、ロボット工学、AIデータセンター、自動車電化、およびエネルギーインフラストラクチャが含まれます。

特徴

シリコンパワートランジスタと比較して、高速スイッチング、低いゲートおよび出力充電、優れた効率性
スイッチング損失の低減
小型磁気部品、コンパクト設計、高度な集積化を実現する高い電力密度
熱性能の改善
電圧範囲：40V～650Vおよび650V

集積保護機能
高周波性能により、高度な変換ステージでの高速スイッチングを実現
熱性能が向上したパッケージ
業界標準のフットプリントにより、デュアルソーシングが可能
導入準備完了システム向け

アプリケーション

自動車電化
産業用オートメーション
AIデータセンターおよびクラウドインフラ

物理的なAI、ロボティクス、産業用電力
エネルギーインフラ

ビデオ

GaN電力変換アーキテクチャ

その他のリソース

GaNパワーアーキテクチャガイド

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部品番号	Id - 連続ドレイン電流	パッケージ/ケース	Pd - 電力損失	Qg - ゲート電荷	Rds On - 抵抗におけるドレイン - ソース	Vds - ドレイン - ソース間破壊電圧	Vgs - ゲート-ソース間電圧
NTD100N70GN1TXG	21 A	DPAK-3	105 W	3.8 nC	100 mOhms	700 V	- 6 V, + 7 V
NTMT100N70GN1TXG	21 A	DFN-9	111 W	3.8 nC	100 mOhms	700 V	- 6 V, + 7 V
NTMT130N70GN1TXG	16 A	DFN-9	84 W	2.65 nC	130 mOhms	700 V	- 6 V, + 7 V
NTMT170N70GN1TXG	12 A	DFN-9	69 W	2.1 nC	170 mOhms	700 V	- 6 V, + 7 V
NTD170N70GN1TXG	12 A	PDSO-E3	64 W	2.1 nC	170 mOhms	700 V	- 6 V, + 7 V
NTBL035N65GN1TXG	64 A	PDSO-F9	367 W	21 nC	27 mOhms	650 V	- 6 V, + 7 V
NTBT035N65GN1TXG	64 A	PDSO-G16	462 W	16 nC	27 mOhms	650 V	- 6 V, + 7 V
NTBL050N65GN1TXG	40 A	PDSO-F9	250 W	10.6 nC	39 mOhms	650 V	- 6 V, + 7 V
NTBT050N65GN1TXG	40 A	PDSO-G16	312 W	10.9 nC	39 mOhms	650 V	- 6 V, + 7 V
NTLCC3D5N10GN1TWG	183 A	PTFP-N9	250 W	7.3 nC	2.7 mOhms	100 V	- 4 V to 6 V

公開: 2026-06-17 | 更新済み: 2026-09-11