onsemi NTH4L014N120M3Pシリコンカーバイド(SiC)MOSFET
Onsemi NTH4L014N120M3Pシリコンカーバイド(SiC)MOSFETは、パワーアプリケーション向けに最適化されています。onsemi MOSFETは、プレーナテクノロジーを採用しており、負のゲート電圧駆動で信頼性が高く、ゲート上のスパイクを抑制します。このファミリには、18Vゲートドライブで駆動する場合に最適な性能がありますが、15Vゲートドライブとの併用にも優れています。
特徴
- 標準RDS(on) = 14mΩ@ VGS = 18V
- 低スイッチング損失:標準EON 1,308 J(74A、800V時)
- 100%アバランシェ試験済み
- このデバイスは、RoHSに準拠しています。
アプリケーション
- ソーラーインバータ
- 電気自動車充電ステーション
- UPS(無停電電源)
- エネルギー貯蔵システム
- SMPS(スイッチモード電源)
関連製品
シリコンに比べて優れたスイッチング性能と高い信頼性を実現しています。
最大電圧定格1,200Vの高電圧アプリケーションを対象としたソリューションです。
関連アプリケーション
ソーラーインバータや電気自動車充電器のような要求の厳しいアプリケーションのニーズに対処できます。
ソーラーインバータなど、要求の厳しいアプリケーションのニーズに対処するコンポーネントソリューションです。
公開: 2022-11-10
| 更新済み: 2024-07-22