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要求の厳しい電源管理アプリケーション向けに設計された、高効率のシングルNチャネルパワーMOSFETです。
効率的な電力スイッチングが必要になる低電圧アプリケーション向けに設計された高性能MOSFET。
導通損失とスイッチング損失を最小限に抑え、高い熱性能を発揮します。
連続ドレイン・ソース間電流92A、RDS(ON) 4.6mΩ at 10V、ドレイン・ソース間電圧60V。
x 5mm 6mmフットプリントのコンパクトな設計が特徴です。
コンパクトで効率的な設計で、高い放熱性能を備えています。
288Aドレイン電流 (連続)、1.2mΩ @ 10V RDS(ON)、60Vドレイン・ソース電圧。
AEC−Q101認定のMOSFETで、車載アプリケーション向けにコンパクトで効率的なソリューションを提供しています。