onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFET

オンセミ (onsemi) NXH011F120M3F2 EliteSiC SiC MOSFET モジュールは、11mΩ/1200V の SiC M3S MOSFET フルブリッジ構成を備えています。本モジュールは、F2 パッケージ内にサーミスタと HPS DBC を統合しており、コンパクトで高効率な電力変換設計を可能にします。オンセミ (onsemi) NXH011F120M3F2 は、あらかじめ適用された 2 種類のサーマルインターフェイス材質(TIM)と、TIM 非適用タイプの 1 種類を提供します。本モジュールは、プレスフィットピンを備え、鉛フリー、ハロゲンフリー、RoHS 準拠の構造により、パワーモジュールへの統合に適しています。

本モジュールは、ソーラーインバータ、無停電電源装置(UPS)、EV 充電ステーション、産業用電力アプリケーションに最適です。フルブリッジトポロジー、1200V SiC MOSFET 定格、サーミスタ接続、Kelvin ソースピンのサポートにより、NXH011F120M3F2 は高要求の電力電子機器プラットフォームに最適な選択肢となります。

特徴

  • 11mΩ/1200V M3S SiC MOSFET フルブリッジパワーモジュール
  • 温度モニタリング用の内蔵サーミスタ
  • パワーモジュール設計向けの HPS DBC 構造
  • モジュール接続用のプレスフィットピン
  • サーマルインターフェイス材質をあらかじめ塗布した 2 種類のオプションと、TIM 未塗布のオプションがあります。
  • 鉛フリー、ハライドフリー、RoHS 準拠の構造

アプリケーション

  • ソーラーインバータ
  • 無停電電源装置
  • 電気自動車充電ステーション
  • 産業用電源

仕様

  • TC = 80°C、TJ = 175°C 時の連続ドレイン電流:105A
  • TJ = 175°C 時のパルスドドレイン電流: 316A
  • TJ = 175°C 時の最大電力損失:244W
  • 保存温度範囲:−40°C 〜 +150°C
  • -40°C~+175°Cの接合部動作温度範囲
  • パッケージ
    • F2パッケージ
    • プレスフィット構造の PIM34 ケース
    • ケースサイズ:56.7 mm × 42.5 mm
  • ドレイン-ソース電圧:1200V
  • ゲート-ソース電圧範囲:+22V〜-10V
  • ピン機能
    • TH1 および TH2 サーミスタ接続
    • AC1 および AC2:フルブリッジのセンターポイント
    • DC+:正バス接続、DC−:負バス接続
    • ハイサイドおよびローサイドスイッチ用のゲート接続およびケルビンソース接続

回路図

回路図 - onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFET
機械図面 - onsemi NXH011F120M3F2 SiC MOSFET
公開: 2026-07-29 | 更新済み: 2026-08-25