ROHM Semiconductor BD58020GW eヒューズ保護IC
ローム株式会社 (ROHM Semiconductor) BD58020GW eヒューズ保護ICは過電圧、過電流、および過熱保護用ICです。BD58020GWは低オン抵抗16mΩ（代表値）のNチャネルFETを内蔵しており、異常発生時には後段の部品へのダメージを即座に防ぎます。ローム株式会社 (ROHM Semiconductor) BD58020GWには、2つの外部 NTC サーミスタの温度保護機能も搭載されており、アプリケーション内の 2 つの異なる場所を監視することができます。外部または内部の固定抵抗器により、過電圧および過電流レベルを設定できます。
特徴
- 外部抵抗でプログラム可能な過電圧保護
- 外部抵抗器でプログラム可能な過電流制限
- 超高速過電圧応答時間：50ns（代表値）
- 16mΩ NMOS FETを内蔵
- NTCによる過熱保護および2種類のサーマルモニタサポート
- プログラム可能なブラウンアウト検出
- 温度障害状態を出力するための双方向I/O
- VOUTのアクティブディスチャージサポート
- バッテリモードをサポート
- USBオン・ザ・ゴー(OTG) 対応
アプリケーション
- スマート・ホーム家電
- プラグアダプタまたはバッテリアプリケーション
- 携帯機器
仕様
- 入力電圧範囲：3.0V～28V（起動時3.6V）
- BAT電圧範囲：2.7V～5.5V
- 最大連続電流：5.0A (標準)
- NチャネルFET オン抵抗：16mΩ（代表値）
- OVP応答時間：50ns（代表値）
- 静止電流：128μA（代表値）、200μA（最大値）
- 低Iqモード/ VBAT電流：2.77μA（代表値）
- 接合部動作温度：-40°C～+125°C
- 1.7mm x 1.7mm x 0.62mm [W（標準）x D（標準）x H（最大）]、0.4mm ピッチ UCSP55M1C（16ピンプラグ）パッケージ
標準アプリケーション回路
ブロック図
公開: 2026-09-25
| 更新済み: 2026-10-20