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RH7G04CBJFRA Pチャンネル パワーMOSFET - ROHM
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ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA Pチャンネル パワーMOSFET
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ROHM Semiconductor RH7G04CBJFRA Pチャンネル パワーMOSFETは、インフォテインメント、照明、ADAS、ボディなどの車載アプリケーション向けにAEC-Q101認定を受けています。このデバイスは、-40Vのドレイン・ソース間電圧と ±40Aの連続ドレイン電流を提供します。ROHM RH7G04CBJFRA MOSFETはDFN-8パッケージで提供されます。
特徴
ウェッタブルフランク製品
AEC-Q101準拠
100%アバランシェ試験済み
DFN-8パッケージ
アプリケーション
ADAS
インフォテインメント
照明
本体
仕様
ドレイン・ソース間電圧:-40V
ドレイン・ソース間オン抵抗:17.7mΩ
連続ドレイン電流:±40A
62W電力損失
代表的なアプリケーション
測定回路
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ROHM Semiconductor
公開: 2025-03-03 | 更新済み: 2025-03-13