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Diodes Incorporated API21552Q絶縁デュアルチャンネル・ゲート・ドライバ

ダイオーズ（Diodes Inc.） API21552Q絶縁デュアルチャネル・ゲートドライバは、AEC-Q100認定済みで、要求の自動車および産業用電力アプリケーション向けに設計されています。ピークソースドライブ電流最大4A、ピークシンク駆動電流最大6Aを特徴とし、窒化ガリウム、MOSFET、SiC、およびIGBTパワースイッチの信頼性の高い制御を提供し、出力電源電圧最大30Vをサポートします。API21552Qドライバは、標準伝播遅延40nsの高速スイッチング性能を、低いパルス幅歪み、優れたチャネル間マッチングを実現し、高周波電力変換システムの効率を最適化します。

電気的ノイズの多い環境で堅牢な動作を実現するために作られたAPI21552Qは、150V/nsを超えるコモンモード過渡耐性（CMTI）を提供し、ノイズ除去を改善する5nsデグリッチフィルタを内蔵しています。このドライバは、強化絶縁5700VRMSを提供し、主要な安全規格の認証済みです。そのため、HEVおよびEVオンボードチャージャ、トラクションインバータ制御、モータ駆動、絶縁型DC-DCコンバータなどに最適です。その他の特徴として、アクティブプルダウン機能、外部無効化制御、複数の不足電圧ロックアウト（UVLO）オプション（5V、8V、12V）、および動作温度範囲-40°C～+125°Cを提供し、次世代自動車パワーエレクトロニクスにおいてシステム信頼性と設計柔軟性を向上させます。

特徴

  • 絶縁デュアルチャネル・ゲートドライバ
  • 入力側電源電圧：3V～5.5V
  • 最大4Aピークソースおよび最大6Aピークシンク電流出力
  • コモンモード過渡耐性（CMTI）：150V/ns超
  • VDD出力駆動電源：最大30V
  • VDD UVLOオプション：5V、8V、12V
  • スイッチングパラメータ
    • 伝搬遅延は通常40ns
    • 8ns最大遅延マッチング
    • 7ns最大パルス幅歪み
    • 最大VDD起動遅延：10μs
  • 絶縁壁の寿命>40年
  • 統合デグリッチフィルタは5ns
  • アクティブプルダウン機能
  • SO-16W（タイプCJ）にパッケージ化
  • 動作温度範囲：-40°C～+125°C
  • 安全関連認定
    • 8000VPK SO-16W (Type CJ)、DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) 準拠
    • 5700VRMS SO-16W (Type CJ) /1分間、UL 1577準拠
    • GB4943.1に沿ったCQC認証
  • AEC-Q100で品質評価済み、結果は以下のとおり
    • デバイス温度グレード1
    • デバイスHBM ESD：4kV
    • デバイスCDM ESD：1.5kV
  • 完全無鉛で完全にRoHS準拠
  • ハロゲン・アンチモンフリー、グリーンデバイス
  • 特定の変更コントローラ、AEC-Q100認定、PPAP対応、およびIATF 16949認定施設での製造が必要な自動車用途に適しています

アプリケーション

  • HEV／EV 向けオンボード充電器
  • 自動車のモータドライブ
  • HEVおよびEVのインバータ制御
  • 自動車用アイソレート DC/DC コンバータ

仕様

  • 最大定格電力
    • 電力損失（両側）：950mW
    • トランスミッタ側電力損失：50mW
    • 各ドライバー側電力損失：450mW
  • 供給電流
    • VCC静止電流：最大2.5mA、標準1.5mA
    • VDDA/VDDB静止電流：最大3.7mA、標準1.4mA
    • VCC動作電流：最大4.6mA、標準2.7mA
    • VDDAおよびVDDB動作電流：最大5mA、標準3mA
  • 出力
    • プルアップ抵抗：最大10Ω、4Ω（代表値）
    • プルダウン抵抗：最大1.1Ω、0.55Ω（代表値）
    • OUTX出力アクティブプルダウン：最大2V、1.6V（代表値）
  • スイッチング
    • 出力立ち上がり時間：最大16ns、5ns（代表値）
    • 出力降下時間：最大12ns、6ns（代表値）
    • 伝播遅延：最大60ns、40ns（代表値）
    • DIS応答遅延：最大70ns、45ns（代表値）
    • 入力パルス幅：最大30ns、10ns（代表値）
    • 伝播遅延範囲：0ns～7ns
    • パルス幅歪み範囲：0ns～7ns
    • コモンモード過渡イミュニティ：150V/ns以上
  • 安全制限値
    • 安全出力電源電流：61mA
    • 安全出力電源
      • 入力側：50mW
      • ドライバA/B側：925mW
      • 合計：1900mW
    • 安全温度：+150°C
  • 絶縁
    • 外部クリアランス/沿面距離：>8mm
    • 絶縁距離：26µm
    • 比較トラッキング指数：>600V
    • IEC 60664-1 材料グループI
  • パッケージ熱情報
    • ジャンクション-周囲間熱抵抗：65.8°C/W
    • ジャンクション-ケース間熱抵抗：28.1°C/W
    • ジャンクション-ボード間熱抵抗：23.2°C/W
    • ジャンクション-最上面間特性パラメータ：7.35°C/W
    • ジャンクション-ボード間特性パラメータ：22°C/W
    • ジャンクション-ケース（底部）間熱抵抗：31.3°C/W

標準アプリケーション回路

アプリケーション回路図 - Diodes Incorporated API21552Q絶縁デュアルチャンネル・ゲート・ドライバ

機能ブロック図

ブロック図 - Diodes Incorporated API21552Q絶縁デュアルチャンネル・ゲート・ドライバ
公開: 2026-09-03 | 更新済み: 2026-09-30