Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN 評価ボード

インフィニオン (Infineon)の EVAL_GD_BDS_GAN 評価ボードは、ガリウムナイトライド双方向スイッチを駆動するための低電力ゲートドライバ評価ボードです。本ボードには EiceDRIVER™ 1EDB7275F シングルチャネル絶縁ゲートドライバが搭載されており、基板対基板コネクタを介して GaN BDS ドータカードをサポートします。

インフィニオン (Infineon)GAL_GD_BDS_GAN ボードは、設計導入・測定・検証の各ワークフローにおいて、GaN 双方向スイッチの性能評価を支援します。本ボードは、最大 120V の各種 GaN 双方向スイッチをサポートし、電流の流れる方向に応じてゲートドライブのリターン経路を選択できるようにしています。

本評価ボードは、コンパクトな双方向スイッチング、コンポーネント数の削減、高速なスイッチング性能、そして電力密度の向上を必要とする CoolGaN BDS アプリケーションに最適です。本ボードは、USB Type‑C® 充電器、負荷スイッチ、eFuse、バッテリ管理システム、USB‑C PD 設計、スマートフォン、ノートブック、ドッキングステーションの評価に最適なオプションです。

特徴

  • GaN 双方向スイッチ動作向けの低電力ゲートドライバ評価ボード
  • EiceDRIVER 1EDB7275F シングルチャネル絶縁ゲートドライバをオンボード搭載
  • 各種 GaN BDS ドータカードを接続するためのコネクタ
  • 電流の流れる方向に応じて、ユーザーが選択可能なゲートドライブのリターン経路
  • 最大 120V の GaN 双方向スイッチをサポート
  • デュアルゲート独立制御を備えたノーマリーオフ一体型 GaN 双方向スイッチに対する CoolGaN BDS のサポート
  • 複数の単方向スイッチを置き換えるためのコモンドレイン構造による双方向ブロッキング機能
  • GaN BDS の特性評価・測定、およびデータシート仕様の検証を行うための設計導入サポート

アプリケーション

  • USB-C充電器および負荷スイッチ
  • eFuses(イーフューズ)
  • バッテリマネジメントシステム(BMS)
  • USB‑C PD 設計
  • スマートフォン
  • ノートブック
  • ドッキング ステーション

仕様

  • GaN BDS ドータカードを取り付けるための Berg スティック型基板対基板コネクタ
  • オンボードのゲートドライバ IC 1EDB7275F(シングルチャネル絶縁ゲートドライバ)
  • ESD に敏感 — 実験室環境での使用を想定
  • 最大入力電流 20A
  • 対応ドータカード
    • EVAL_IGK048B041S_GaN
    • EVAL_IGK080B041S_GaN
    • EVAL_IGK120B041S_GaN
  • 入力電圧範囲 5V ~ 120V

ブロック図

ブロック図 - Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN 評価ボード

システム接続

ロケーション回路 - Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN 評価ボード

PCBレイアウト

ロケーション回路 - Infineon Technologies EVAL_GD_BDS_GAN 評価ボード
公開: 2026-08-03 | 更新済み: 2026-08-06