IXYS
IXYS Corporationは、包括的なパワーMOSFET、IGBT、バイポーラ、ミックスドシグナルICソリューションを提供するパワーマネージメント半導体の世界的なサプライヤーであり、広範なパワーシステムアプリケーションにおける効率性の改善とエネルギーコストの削減を実現します。
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IXYS MDNA700P2200CC High-Voltage Rectifier ModuleImproved temperature & power cycling, ComPack package with DCB ceramic, industry-standard outline.2022/08/01 -
IXYS ハイサイドおよびローサイドゲートドライバICICは、600mA/290mA～4.5A/4.5Aシンク/ソース出力電流機能に対応しています。2022/02/23 -
IXYS IX4 ウルトラジャンクションパワーMOSFETs200Vドレイン-ソース間絶縁破壊電圧を備えたアバランシェ定格、NチャンネルエンハンストモードMOSFETです。2022/01/14 -
IXYS ゲートドライバ（NチャンネルMOSFET & IGBT用）ー高電圧・高速ゲートドライバおよび三相ゲートドライバICを搭載しており、最高600Vまでで動作します。2021/11/15 -
IXYS IXFxN60X X3-Class HiPerFET™ パワーMOSFETベストインクラスの性能指数、低伝導、スイッチング損失を実現2021/10/21 -
IXYS X3-Class HiPerFET™パワーMOSFETNチャンネル・エンハンスメント・モード、アバランシェ定格MOSFETです。2021/10/19 -
IXYS XPT™ GenX5™ Trench IGBT角型逆バイアス安全動作領域と650V破壊電圧が備わっている第5世代Trench IGBTです。2021/09/28 -
IXYS LSIC1MO170E0750 NチャンネルSiC MOSFET高電圧、高周波数、高効率アプリケーション用に最適化された750mΩNチャンネルMOSFETです。2021/09/27 -
IXYS Sx02CSx Teccor® 1.25A高感度SCR位相制御アプリケーションを対象とした優れた単方向スイッチを実現しています。2021/09/16 -
IXYS S802xSx EVシリーズ1.5A高感度SCRSCRは、低ターンオフ（tｑ）時間をともなう高静的dv/dtを供給します。2021/09/16 -
IXYS LSIC1MO120G0x NチャンネルSiC MOSFET1200Vドレイン-ソース電圧定格、25mΩ～160mΩ抵抗範囲、14A～70A電流に対応します。2021/07/28 -
IXYS LSIC1MO170T0750 NチャンネルSiC MOSFET11nCゲート電荷、29Ωゲート抵抗、750mΩオン抵抗に対応する1700V SiC MOSFETです。2021/06/23 -
IXYS MCMA65P1800TA & MCMA110P1800TAサイリスタモジュールライン周波数用のデュアル位相レッグサイリスタで、業界標準TO-240AAパッケージに収められています。2021/06/09 -
IXYS IXT 200V X4ウルトラジャンクションパワーMOSFET10.6mΩ、13mΩ、または21mΩのRDS（on）) と最大200Vのドレイン-ソース間電圧を備えたNチャネルデバイス。2021/04/28 -
IXYS IXTQ34N65X2M & IXTQ48N65X2M X2-ClassパワーMOSFET650Vドレイン-ソース間破壊電圧および34Aまたは48A連続ドレイン電流が特徴です。2021/04/15 -
IXYS IXGA20N250HV高電圧IGBTスクエアRBSOA、10µs短絡機能があり、2500V VCES、12A IC110、3.1V VCE(sat)が特徴です。2021/03/02 -
IXYS MDMA120U1600VA標準整流器モジュール温度と電力サイクリングが改善されているV1-A-Packパッケージに収められた1600V 3台の整流器ブリッジです。2021/03/02 -
IXYS CLA100E1200TZ高効率サイリスタ長期安定性を実現しており、1200V繰り返し逆方向電圧および100A平均順方向電流が特徴です。2021/02/12 -
IXYS DLA100IM1200TZ低電圧スタンダード整流器1.32Vの順方向電圧降下および-55°C～+150°C動作温度範囲が特徴のシングルダイオードです。2021/02/12 -
IXYS IXBx14N300HV逆伝導BiMOSFET™ IGBTMOSFETとIGBTの強みが組み合わされた3000V、14Aデバイスです。2021/01/08 -
IXYS IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ Trench IGBT5kHzまでのスイッチング向けに設計された超低Vsatに対応しています。2021/01/04 -
IXYS CPC1561Bソリッドステートリレー集積電流制限と熱シャットダウン機能が搭載されたソリッドステートリレーです。2020/10/23 -
IXYS TO-220 & TO-252パッケージに収められたX2-ClassパワーMOSFET600V破壊電圧定格、14A連続ドレイン電流、250mΩ抵抗が特徴です。2020/08/14 -
IXYS IXYxN120A4 XPT™ GenX4™ IGBT最高5kHzまでのスイッチング周波数に対応し、低導通損失を目的に最適化されています。2020/06/10 -
IXYS IX4310T低圧側MOSFETゲートドライバスイッチモード電源と パワーインバータでのMOSFETの駆動に最適な2Aゲートドライバです。2020/05/11