Nexperia GANB4R8-040CBA双方向GaN FET
Nexperia GANB4R8-040CBA双方向GaN FETは、40V、4.8mΩ 双方向窒化ガリウム(GaN) 高電子移動度トランジスタ (HEMT) です。GANB4R8-040CBAは、通常はオフのeモードFETで、優れた性能を実現しています。Nexperia GANB4R8-040CBAは、ウェハーレベル・チップ・スケール(WLCSP) パッケージでご用意があります。
特徴
- エンハンスメントモード－通常オフ電源スイッチ
- 双方向デバイス
- 超高スイッチング速度機能
- 超低オン状態抵抗
- RoHS、無鉛、REACH準拠
- 高効率と高電力密度
- ウェハーレベルチップスケールパッケージ (WLCSP) 2.1mm x 2.1mm
アプリケーション
- ハイサイド負荷スイッチ
- スマートフォンUSBポートでのOVP保護
- 電源スイッチ回路
- スタンバイ電力システム
公開: 2024-06-04
| 更新済み: 2024-10-01