onsemi NTHL012N065M3S炭化ケイ素(SiC)MOSFET

オンセミ (onsemi) NTHL012N065M3S炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、高速スイッチング電源アプリケーション向けに最適化されたEliteSiC® 650V M3SプレーナーMOSFETです。このデバイスは、オン抵抗とスイッチング損失が低く、コンパクトで高性能な設計における効率的な電力変換をサポートします。NTHL012N065M3Sは、負のゲート電圧ドライブとゲート上のターンオフスパイクで確実に動作するように設計されたプレーナーSiCテクノロジーを実装しています。SiCMOSFETは、18Vのゲートドライブで最適な性能を発揮するだけでなく、設計の柔軟性を高めるために15Vのゲートドライブでの動作もサポートしています。

オンセミ (onsemi) NTHL012N065M3S SiC MOSFETは、スイッチモード電源、ソーラーインバータ、無停電電源装置、エネルギーストレージシステム、およびEV充電インフラストラクチャに最適です。NTHL012N065M3SはTO-247-3Lパッケージで提供され、厳しい電力電子機器のアプリケーション向けに高いジャンクション温度での動作をサポートします。

特徴

  • 高速スイッチング用途向けEliteSiC 650V M3SプレーナーSiC MOSFETテクノロジー
  • ネガティブゲート電圧ドライブとターンオフゲートスパイクによる信頼性の高い平面型テクノロジーの動作
  • 18Vゲートドライブで最適化された性能、15Vゲートドライブで強力な性能
  • 新しいM3Sテクノロジーにより、EONおよびEOFFスイッチング損失を低減
  • 高速スイッチングアプリケーション向けの低い出力容量
  • 効率的なスイッチング動作を実現する超低トータルゲート充電
  • アバランシェ試験済みデバイス(100%)
  • ハロゲンフリー、およびRoHS指令の適用除外項目7aに適合
  • 鉛フリーの2層相互接続

アプリケーション

  • スイッチモード電源
  • ソーラーインバータ
  • 無停電電源装置
  • エネルギーストレージシステム
  • EV充電インフラ

仕様

  • ドレイン-ソース間の電圧:650V
  • VGS = 18V時の標準的なRDS(ON) 12.2mΩ
  • TC = 25°C時の最大ドレイン電流:123A
  • TC = 100°C時の連続ドレイン電流:87A
  • ゲートの総充電量は135nC(標準値)
  • 出力容量は281pF(標準値)
  • ダイナミックなゲートソース間の電圧範囲:-10V~+22.6V
  • 推奨動作ゲートソース間の電圧範囲:-3V~+18V
  • シングルパルスアバランシェエネルギー:259mJ
  • ジャンクション-ケース間の熱抵抗:0.35°C/W
  • 動作ジャンクションおよび保存温度範囲:-55°C ~ +175°C
  • TO-247-3Lパッケージ

パッケージStyle

アプリケーション回路図 - onsemi NTHL012N065M3S炭化ケイ素(SiC)MOSFET

熱応答特性

パフォーマンスグラフ - onsemi NTHL012N065M3S炭化ケイ素(SiC)MOSFET
公開: 2026-07-09 | 更新済み: 2026-07-14