onsemi NTHL016N065M3S炭化ケイ素(SiC)MOSFET

オンセミ (onsemi) NTHL016N065M3S炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、高速スイッチング電源アプリケーション向けに最適化されたEliteSiC® 650V M3SプレーナーMOSFETです。このデバイスは、オン抵抗が低く、静電容量も低く、スイッチング損失も少ないため、コンパクトで高性能なシステムでの効率的な電力変換をサポートします。NTHL016N065M3Sは、負のゲート電圧ドライブとターンオフゲートスパイクによる信頼性の高い動作を実現するように設計されたプレーナーSiCテクノロジーを使用しています。SiC MOSFETは、18Vのゲートドライブで最適な性能を発揮するだけでなく、設計の柔軟性を高めるために15Vのゲートドライブでも良好に動作します。

オンセミ (onsemi) NTHL016N065M3S炭化ケイ素(SiC)MOSFETは、スイッチモード電源、ソーラーインバータ、無停電電源装置、エネルギーストレージシステム、およびEV充電インフラストラクチャに最適です。NTHL016N065M3SはTO-247-3Lパッケージで提供され、+175°Cジャンクション温度までの動作に対応した高温パワー電子機器設計をサポートします。

特徴

  • 高速スイッチング用途向けEliteSiC 650V M3SプレーナーSiC MOSFETテクノロジー
  • ネガティブゲート電圧ドライブとターンオフゲートスパイクによる信頼性の高い平面型テクノロジー動作
  • 18Vゲートドライブで最適化された性能、15Vゲートドライブで強力な性能
  • M3Sテクノロジーによる低EONおよびEOFFスイッチング損失
  • 高速スイッチングアプリケーション向け低い出力容量
  • 効率的なスイッチング動作を実現する超低トータルゲート充電
  • アバランシェ試験済みデバイス(100%)
  • ハロゲンフリー、およびRoHS指令の適用除外項目7aに適合
  • 鉛フリーの2層相互接続

アプリケーション

  • スイッチモード電源
  • ソーラーインバータ
  • 無停電電源装置
  • エネルギーストレージシステム
  • EV充電インフラ

仕様

  • ドレイン・ソース間電圧:650V
  • VGS = 18V時の標準的なRDS(ON):16.8mΩ
  • TC = 25°C時の最大ドレイン電流:94A
  • TC = 100°C時の連続ドレイン電流:66A
  • 標準的なゲート充電量:100nC
  • 標準的な出力容量:202pF
  • ゲートソース間の電圧範囲:-10V~+22.6V
  • 推奨動作ゲートソース間の電圧範囲:-3V~+18V
  • シングルパルスアバランシェエネルギーは180mJ
  • ジャンクションケース間の熱抵抗:0.45°C/W
  • 動作ジャンクションおよび保存温度範囲:-55°C~+175°C
  • TO-247-3Lパッケージ

パッケージStyle

onsemi NTHL016N065M3S炭化ケイ素(SiC)MOSFET

熱応答特性

パフォーマンスグラフ - onsemi NTHL016N065M3S炭化ケイ素(SiC)MOSFET
公開: 2026-07-09 | 更新済み: 2026-07-14