onsemi NVMTS1D1N04C NチャンネルMOSFET
オンセミ (onsemi) NVMTS1D1N04C NチャンネルMOSFETは、コンパクトで大電流のスイッチングアプリケーション向けに設計された40VシングルNチャンネルパワーMOSFETです。このデバイスは、スペースに制約のある設計で効率的な電力切り替えをサポートするために、オンセミ (onsemi) PowerTrench® T6テクノロジーとPower 88パッケージを使用します。このMOSFETは、オン抵抗が低く導通損失を最小限に抑え、ゲート充電と静電容量が低くドライバ損失を削減します。NVMTS1D1N04C MOSFETは、AEC-Q101の認定を受けており、PPAPに対応しています。これにより、認定されたトレーサブルなパワーデバイスが必要な自動車とその他の生産環境をサポートします。
オンセミ (onsemi) NVMTS1D1N04C NチャンネルMOSFETは、ハイサイドおよびローサイドドライバやHブリッジ設計などの電力スイッチングアプリケーションに最適です。NVMTS1D1N04Cは、DFNW8 Power 88パッケージに収容されており、-55°C～+175°Cのジャンクションおよび保存温度範囲での動作をサポートします。
特徴
- パワースイッチングアプリケーション向けのシングルNチャネルPowerTrench T6 MOSFET
- コンパクトな設計レイアウト向けの小型フットプリントPower 88パッケージ
- 伝導損失を最小限に抑えるための低RDS(on)
- ドライバー損失を低減するための低ゲート充電と静電容量
- 自動車アプリケーション向けAEC-Q101認定およびPPAP対応
- 鉛フリーおよびRoHSに準拠したデバイスオプション
アプリケーション
- 電力スイッチ（高圧側ドライバ、低圧側ドライバ、Hブリッジ）
- 自動車アプリケーション
仕様
- ドレイン・ソース間電圧：40V
- VGS = 10V時の最大RDS(ON) 1.1mΩ
- TC = 25°C時の連続ドレイン電流：277A
- TC = 100°C時の連続ドレイン電流：196A
- ゲートソース間電圧：±20V
- VGS ＝ 10Vにおける典型的な総ゲート充電：86nC
- 入力容量の代表値：5410pF
- 出力容量の代表値:：3145pF
- 82pFの典型的な逆伝達静電容量
- アバランシェ単一パルスドレイン-ソースエネルギー：721mJ
- ジャンクション-ケース間の熱抵抗：0.98°C/W
- 動作ジャンクションおよび保存温度範囲：-55°C～+175°C
- パッケージ
- DFNW8パワー88パッケージ
- パッケージ サイズ:8mm x 8mm
パッケージStyle
公開: 2026-07-09
| 更新済み: 2026-07-15