onsemi NVMYS4D6N06C NチャンネルMOSFET

オンセミ (onsemi) NVMYS4D6N06C NチャンネルMOSFETは、コンパクトで効率的な電力スイッチングアプリケーション向けに開発された60VシングルNチャンネルPowerTrench® T6 MOSFETです。このデバイスは、小型フットプリントで大電流容量を必要とする設計向けに、熱性能が向上したLFPAK Power56パッケージを使用しています。NVMYS4D6N06Cは、オン抵抗が低く導通損失を低減し、ゲート充電と静電容量が低くドライバ損失を最小限に抑えます。このMOSFETは、AEC-Q101の認定を受けており、PPAPにも対応しているため、ボードレベルでの信頼性の向上が求められる自動車アプリケーションをサポートします。

オンセミ (onsemi) NVMYS4D6N06C NチャンネルMOSFETは、ハイサイドおよびローサイドドライバやHブリッジ設計を含む電力スイッチングアプリケーション向けに設計されています。NVMYS4D6N06Cは、LFPAK-4パッケージで提供され、-55°C~+175°Cのジャンクションおよび保存温度範囲での動作をサポートします。

特徴

  • パワースイッチングアプリケーション向けのシングルNチャネルPowerTrench T6 MOSFET
  • 効率的な自動車用電源設計のための優れた熱性能
  • 導通損失を最小限に抑えるための低RDS(on)
  • ドライバー損失を低減するための低ゲート充電と静電容量
  • 自動車アプリケーション向けにAEC-Q101の認定とPPAPの対応
  • 鉛フリーおよびRoHSに準拠したデバイスオプション

アプリケーション

  • 電力スイッチ
    • 高圧側ドライバ
    • 低圧側ドライバ
    • Hブリッジ
  • 自動車

仕様

  • ドレインソース間電圧:60V
  • 最大RDS(ON) 4.7mΩ(VGS = 10V)
  • 連続ドレイン電流:92A(TC = 25°C)
  • 連続ドレイン電流:65A(TC = 100°C)
  • ゲートソース間電圧:±20V
  • VGS = 10Vにおける典型的な総ゲート充電:19nC
  • 代表値の入力容量:1530pF
  • 代表値の出力容量:1095pF
  • 代表値の逆転送静電容量:7pF
  • シングルパルスドレイン-ソースアバランシェエネルギー:524mJ
  • ジャンクション-ケース間の熱抵抗:1.89°C/W
  • 動作ジャンクションおよび保存温度範囲: -55°C ~ +175°C
  • パッケージ
    • LFPAK-4 Power 56パッケージ
    • パッケージ サイズ:5mm x 6mm

パッケージStyle

アプリケーション回路図 - onsemi NVMYS4D6N06C NチャンネルMOSFET
公開: 2026-07-09 | 更新済み: 2026-07-15