onsemi NVMYS4D6N06C NチャンネルMOSFET
オンセミ (onsemi) NVMYS4D6N06C NチャンネルMOSFETは、コンパクトで効率的な電力スイッチングアプリケーション向けに開発された60VシングルNチャンネルPowerTrench® T6 MOSFETです。このデバイスは、小型フットプリントで大電流容量を必要とする設計向けに、熱性能が向上したLFPAK Power56パッケージを使用しています。NVMYS4D6N06Cは、オン抵抗が低く導通損失を低減し、ゲート充電と静電容量が低くドライバ損失を最小限に抑えます。このMOSFETは、AEC-Q101の認定を受けており、PPAPにも対応しているため、ボードレベルでの信頼性の向上が求められる自動車アプリケーションをサポートします。オンセミ (onsemi) NVMYS4D6N06C NチャンネルMOSFETは、ハイサイドおよびローサイドドライバやHブリッジ設計を含む電力スイッチングアプリケーション向けに設計されています。NVMYS4D6N06Cは、LFPAK-4パッケージで提供され、-55°C~+175°Cのジャンクションおよび保存温度範囲での動作をサポートします。
特徴
- パワースイッチングアプリケーション向けのシングルNチャネルPowerTrench T6 MOSFET
- 効率的な自動車用電源設計のための優れた熱性能
- 導通損失を最小限に抑えるための低RDS(on)
- ドライバー損失を低減するための低ゲート充電と静電容量
- 自動車アプリケーション向けにAEC-Q101の認定とPPAPの対応
- 鉛フリーおよびRoHSに準拠したデバイスオプション
アプリケーション
- 電力スイッチ
- 高圧側ドライバ
- 低圧側ドライバ
- Hブリッジ
- 自動車
仕様
- ドレインソース間電圧:60V
- 最大RDS(ON) 4.7mΩ(VGS = 10V)
- 連続ドレイン電流:92A(TC = 25°C)
- 連続ドレイン電流:65A(TC = 100°C)
- ゲートソース間電圧:±20V
- VGS = 10Vにおける典型的な総ゲート充電:19nC
- 代表値の入力容量:1530pF
- 代表値の出力容量:1095pF
- 代表値の逆転送静電容量:7pF
- シングルパルスドレイン-ソースアバランシェエネルギー:524mJ
- ジャンクション-ケース間の熱抵抗:1.89°C/W
- 動作ジャンクションおよび保存温度範囲: -55°C ~ +175°C
- パッケージ
- LFPAK-4 Power 56パッケージ
- パッケージ サイズ:5mm x 6mm
パッケージStyle
公開: 2026-07-09
| 更新済み: 2026-07-15
