Qorvo QPD2560L300WGaN/SiC HEMT
QorvoQPD2560L300WGaN/SiC HEMTは、1.0GHz～1.5GHzの周波数範囲で動作する、要求の厳しいLバンドアプリケーション向けに設計された高電力 GaN-on-SiC高電子移動度トランジスタ（HEMT）です。堅牢なRF性能を発揮するように設計されたQorvo QPD2560Lは、最大55.4dBmの飽和出力電力、15dBの大信号ゲイン、65%のドレイン効率を実現しており、HEMTはCW（連続）動作とパルス動作の両方に最適です。
入力が事前に内部でマッチングされているので、外部整合要件を簡素化し、ボードスペースを削減することができます。また設計の柔軟性のために、出力は非常に優れています。堅牢なNI‑650業界標準のエアキャビティパッケージに収納されており、Lバンドの軍用および民生用レーダー、電子戦、業務用通信、ISMアプリケーション、広帯域/狭帯域ハイパワーアンプ用に最適化されています。長いパルス機能と高い耐熱性により、ミッション・クリティカルなRFシステムへの適合性がさらに高められています。
特徴
- 周波数範囲：1,0GHz～1.5GHz
- 50V動作
- 338W出力電力（パルス幅100μsのP3dB標準性能、デューティサイクル1.2GHzで10%）
- 最大RF入力電力：43dBm
- 16.3dBゲイン
- ドレイン効率：69.2%、最大電流：33A
- 最高破壊電圧：145V
- 4リードエアキャビティNI-650パッケージ、29,00mm x 5.84mm
- ロングパルス対応（例: 2ms-25%）
- 湿度感度レベル（MSL）3
- 動作温度範囲: -40°C～+85°C
- 無鉛、ハロゲン/アンチモンフリー、RoHS準拠
アプリケーション
- 防衛用レーダー
- 民間用レーダー
- 業務用および軍事用無線通信
- テスト機器
- 広帯域または狭帯域アンプ
- 妨害器
機能ブロック図
寸法：IN.
開発ツール
公開: 2026-02-19
| 更新済み: 2026-03-09