Infineon Technologies KIT_HB_GaN ハーフブリッジ ドーターボード

インフィニオン (Infineon) KIT_HB_GaNハーフブリッジドーターボードは、CoolGaN™トランジスタ650V G5向けにさまざまゲート ドライブソリューションを 搭載しています。これらのドーターボードは、単極または双極のゲート・ソース間電圧でCoolGaN™ トランジスタを駆動でき、Gate Injection Transistor(GIT)製品との互換性を確保します。KIT_HB_GaN ドーターボードは、絶縁型シングルチャネルまたはデュアルチャネルのゲートドライバーICを使用した設計向けの、簡単なプラグインソリューションです。これらのドーターボードは、レイアウトの考慮が不要なジャンパワイヤ構成となっています。 KIT_HB_GaN ドーターボードは、絶縁型シングルチャネルのEiceDRIVER™ 1EDB7275Fや非絶縁型のEiceDRIVER™ 1EDN7511Bをはじめ、さまざまなゲートドライバICをあらかじめ搭載しています。また、フローティング出力を備えたデュアルチャネル絶縁型ゲートドライバIC(EiceDRIVER™ 2EDB7259Y)を搭載したモデルも選択可能です。

特徴

  • 絶縁型シングルチャネル ゲートドライバIC(EiceDRIVER™ 1EDB7275F)、および汎用シングルチャネル非絶縁型ゲートドライバIC(EiceDRIVER™ 1EDN7511B)で構成された設定可能な絶縁型バイアス電源
  • フローティング出力を備えたデュアルチャネル絶縁型ゲートドライバIC(EiceDRIVER™ 2EDB7259Y)
  • Gate Injection Transistor(GIT)製品に対応
  • 絶縁型シングルチャネルまたはデュアルチャネルゲートドライバICを使用した設計向けの簡単なプラグインソリューション
  • レイアウトの考慮が不要なジャンパワイヤ構成

ブロック図

ブロック図 - Infineon Technologies KIT_HB_GaN ハーフブリッジ ドーターボード

前面図および背面図

Infineon Technologies KIT_HB_GaN ハーフブリッジ ドーターボード
公開: 2026-06-25 | 更新済み: 2026-07-27