2ED21824S06JXUMA1

Infineon Technologies
726-2ED21824S06JXUMA
2ED21824S06JXUMA1

メーカ：

詳細：
ゲートドライバ LEVEL SHIFT DRIVER

データシート:
ECADモデル:
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在庫: 5,706

在庫：
5,706 すぐに出荷可能
工場リードタイム：
34 週間 表示されている時間を超える工場生産予定時間。
最小: 1   倍数: 1
ユニット価格:
¥-
合計 額:
¥-
EST関税:
パッケージング:
完全リール（2500の倍数で注文）

価格 (JPY)

数量 ユニット価格
合計 額
カットテープ/ MouseReel™ †
¥339.2 ¥339
¥251.2 ¥2,512
¥228.8 ¥5,720
¥204.8 ¥20,480
¥193.6 ¥48,400
¥185.6 ¥92,800
¥180.8 ¥180,800
完全リール（2500の倍数で注文）
¥177.6 ¥444,000
¥174.4 ¥872,000
† ¥750 MouseReel™の料金が追加され、ショッピングカートに加算されます。すべてのMouseReel™の注文は、キャンセルおよび返品できません。 ↩

製品属性 属性値 属性の選択
Infineon
製品カテゴリー: ゲートドライバ
RoHS:  
IGBT, MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
DSO-14
1 Driver
1 Output
2.5 A
10 V
20 V
15 ns
15 ns
- 40 C
+ 125 C
Reel
Cut Tape
MouseReel
ブランド: Infineon Technologies
論理タイプ: CMOS, LSTTL
最長電源切断遅延時間: 300 ns
最長電源投入遅延時間: 300 ns
水分感度: Yes
動作供給電流: 550 uA
Pd - 電力損失: 1 W
製品タイプ: Gate Drivers
伝搬遅延 - 最大: 300 ns
シャットダウン: Shutdown
工場パックの数量: 2500
サブカテゴリ: PMIC - Power Management ICs
技術: Si
別の部品番号: 2ED21824S06J SP003244528
単位重量: 138.510 mg
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選択した属性: 0

データシート

Models

Product Catalogs

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CNHTS:
8542399000
USHTS:
8542310075
ECCN:
EAR99

シリコンオンインシュレータ（SOI）ゲートドライバIC

Infineon シリコンオンインシュレータ（SOI）ゲートドライバICは、IGBTおよびMOSFET用のレベルシフト高電圧ゲートドライバーICです。SOIテクノロジーは、独自の測定可能なベストインクラスの利点を実現している高電圧レベルシフトテクノロジーです。これらには、統合ブートストラップダイオード（BSD）およびベストインクラスの堅牢性があり、負の過渡電圧スパイクから保護します。各トランジスタは、組み込まれている二酸化ケイ素によって絶縁されており、ラッチアップの原因となる寄生バイポーラトランジスタが不要になります。このテクノロジーは、レベルシフトの電力損失を下げることもでき、デバイスのスイッチング電力散逸を最小限に抑えます。この先進的なプロセスにより、技術的に強化された利点を実現するとともに、高電圧および低電圧回路をモノリシック構造にすることが可能になります。

小型家電ソリューション

Infineon小型家電ソリューションには、小型家電アプリケーションにフィットする数多くのデバイスとソリューションがあります。スタイルと効率性がさらに向上する傾向が高まっており、これによって設計者は数え切れないほどの型式に対応することになります。優れたエネルギー効率、モダンな外観、きれいな拭き取り、密閉された表面は、設計エンジニアが新しい設計を考慮してそれに組み込まなければならないいくつかの特性にすぎません。Infineonは、誘導加熱、ならびにエネルギー効率に優れた統合パワーデバイスが搭載されたモータ制御ソリューションを必要とする家電など、複数の主要な領域を対象としたソリューションを提供しています。

2ED210x低電流650Vハーフブリッジゲートドライバ

Infineon 2ED210x低電流650Vハーフブリッジゲートドライバには、統合ブートストラップダイオードが搭載されており、DSO-8またはDSO-14パッケージに収められています。2ED210x小電流0.7Aドライバは、シリコンオンインシュレーター（SOI）テクノロジーに基づいています。SOIテクノロジーは、独自の測定可能なベストインクラスの利点を実現している高電圧レベルシフトテクノロジーです。これらには、統合ブートストラップダイオード（BSD）およびベストインクラスの堅牢性があり、負の過渡電圧スパイクから保護します。このテクノロジーは、レベルシフトの電力損失を下げることもでき、デバイスのスイッチング電力散逸を最小限に抑えます。高度プロセスによって、モノリシック高電圧および低電圧回路の構築が可能になり、テクノロジーが強化されたメリットが得られます。

2ED218x大電流650Vハーフブリッジゲートドライバ

Infineon 2ED218x大電流650V、2.5A、ハーフブリッジSOIゲートドライバには、統合ブートストラップダイオードが搭載されており、DSO-8またはDSO-14パッケージに収められています。2ED218xには、大電流とハイスピードが組み合わされており、MOSFETおよびIGBTを一般的な2.5Aシンク/ソース電流で駆動できます。

EiceDRIVER™ゲートドライバIC

Infineon EiceDRIVER™ ゲートドライバICは、MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMTデバイスに適するように設計されています。EiceDRIVER™ ゲートドライバは、0.1A～最大10Aの間で標準出力電流をさまざまに選択できます。これらのデバイスは、高速短絡保護（DESAT）、アクティブミラークランプ、シュートスルー保護、フォルト、シャットダウン、過電流保護などの堅牢なゲートドライブ保護機能を搭載しています。これらの特徴により、これらのドライバICは、CoolGaN™ やCoolSiC™ を含むシリコンおよび広帯域ギャップ電力デバイスに適しています。Infineonは、どんな電力スイッチやアプリケーションにも適した500以上のEiceDRIVER™ ゲートドライバICソリューションを提供しています。

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